WŁAŚCIWOŚCI

Ogólne

    Typ wzmacniacza: Klasa D (Cyfrowy)
    Konstrukcja kanałów: 2-kanałowy
    Kontrola temperatury: Kontrola zarządzania temperaturą
    Zasilanie: MOSFET
    Konstrukcja zasilania: Zasilacz z modulacją szerokości impulsu (PWM)
    Układ obwodów: Konfiguracja S.T.A.R.
    Zabezpieczenie prądowe: Zabezpieczenie przed nadmiernym prądem, napięciem oraz zabezpieczenie nadmiernej temperatury
    Wskaźnik zasilania: Umieszczony u góry niebieski wskaźnik LED zasilania/statusu
    2 wejścia wysokonapięciowe (Speaker Level Inputs)
    Zwrotnica: Zmienna, filtr górno/dolnoprzepustowy
    Wbudowany wzmacniacz basów
    Wyjścia końcowe: Direct FET
    Budowa płyty: 6-warstwowa płyta PC z włókna szklanego - epoksydu
    Sterowanie basem: Ciągła kontrola

SPECYFIKACJE
Maksymalna moc

    Maksymalna moc: 350 W

Parametry znamionowe mocy RMS

    Na kanał przy 4 Ohm, 14,4V (≤1%THD+N): 2 x 50 W
    Na kanał przy 2 Ohm, 14,4V (≤1%THD+N): 2 x 75 W
    Na kanał przy 1 Ohm, 14,4V (≤1%THD+N): 1 x 150 W

Regulacja dźwięku

    Częstotliwość zwrotnicy (LPF/HPF do wyboru): Zmienna, 50 - 400 Hz (-12dB/oct.)
    Wzmacniacz: Bass EQ (fc=50Hz) 0 do +12dB

Wymiary

    Rozpraszacz ciepła: 190 x 58 x 230 mm
    Powierzchnia: 250 x 58 x 230 mm

Ogólne

    Wymagane zasilanie: 14,4V DC (11 - 16V)
    Czułość wejścia (RCA): 0,2 - 4,0V
    Czułość wejścia (wejście wysokonapięciowe): 0,5 - 10V
    Impendacja wejściowa: >10k Ohm
    Reakcja na częstotliwość (+0, -3dB: 1 W przy 4 Ohm): 5 Hz - 45 kHz
    Reakcja na częstotliwość (+0, -1dB: 1 W przy 4 Ohm): 7 Hz - 30 kHz
    THD+N (10 W przy 4 Ohm): <0,02%
    THD+N (moc mierzona przy 4 Ohm): <0,07%
    Współczynnik tłumienia: >500
    Stosunek sygnał/szum (moc mierzona przy 4 Ohm): 104dB
    Waga: 2,3 kg

Gwarancja 24 miesiące