WKIŁ 1989, str. 336, stan bdb- (podniszczona lekko okładka)

ISBN 83-[zasłonięte]-0792-2

Książka stanowi monografię przedstawiającą całościowo problematykę projektowania i wytwarzania układów scalonych. Składa się z czterech części, omawiających szczegółowo zagadnienia dotyczące przyrządów półprzewodnikowych, scalonych układów analogowych i cyfrowych oraz technologii ich wytwarzania.
Odbiorcami książki są pracownicy naukowi i techniczni uczelni i instytutów, inżynierowie i technicy zatrudnieni w przemyśle oraz studenci wyższych szkół technicznych.

WYKAZ WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ
A          WSTĘP
Literatura/19
2  PODSTAWY FIZYKI PÓŁPRZEWODNIKÓW
2.1.         Struktura kryształu/20
2.2.         Pasma energetyczne w półprzewodnikach/22
2.3.         Energia elektronów i gęstości stanów/24
2.4.         Koncentracje dziur i elektronów w półprzewodniku samoistnym/25
2.5.         Koncentracje dziur i elektronów w półprzewodniku domieszkowanym/27
2.6.         Dryft nośników w polu elektrycznym/30
2.7.         Prądy dryftu i dyfuzji w półprzewodnikach/34
2.8.         Generacja i rekombinacja nośników/36
2.9.         Niejednorodnie domieszkowany półprzewodnik i pole wbudowane/39
2.10.       Podstawowe równania w półprzewodnikach/39
Literatura/41
3         PASYWNE ELEMENTY UKŁADÓW SCALONYCH
3.1.         Kondensatory/42
3.1.1.      Kondensatory MOS/43
3.1.2.      Kondensatory złączowe/45
3.2.         Rezystory dyfuzyjne/47
3.2.1.     Rezystory bazowe/49
3.2.2      Rezystory emiterowe/50
3.2.3.      Rezystory ściśnięte/51
3.2.4.      Porównanie parametrów rezystorów dyfuzyjnych/52
3.2.5.      Inne rodzaje elementów spełniających funkcje rezystorów/53
Literatura/54
4         ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
4.1.         Teoria przyrządu JFET/57
4.2.         Tranzystory polowe z krótkim kanałem SIT/59
4.2.1.      Wstrzykiwanie nośników poprzez barierę potencjaiu/61
4.2.2.      Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora SIT/61
4.3.        Tranzystory z transportem balistycznym/64
Literatura/64
3          TRANZYSTORY MOS
5.1.         Struktura MOS/67
5.2.         Charakterystyki prądowo-napięciowe/71
5.3.         Parametry małosygnałowe/74
5.4.         Efekty drugorzędne/75
5.4.1.      Efekt modulacji długości kanału/75
5.4.2.      Wpływ polaryzacji podłoża na wartość napięcia progowego/75
5.4.3.      Wpływ polaryzacji kanał-podłoże na charakterystyki statyczne/76
5.4.4.      Efekt zmian ruchliwości powierzchniowej/76
5.4.5.      Podprogowy przepływ prądu/77
5.4.6.      Efekt krótkiego kanału/79
•6 AJ.     Efekt wąskiego kanału/80
5.4.8.      Metody skalowania tranzystorów MOS/80
5.4.9.      Metody określenia napięcia progowego/81
Literaturami
6         ZŁĄCZA p-n   I TRANZYSTORY BIPOLARNE
6.1.         Złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym/85
6.2.         Złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia/89
6.3.         Podstawowe zależności w tranzystorze bipolarnym/94
6.3.1.      Prądy w złączu emiter-baza/95
6.3.2.      Sprawność wstrzykiwania emitera/95
6.3.3.      Sprawność transportu nośników przez bazę/96
6.3.4.      Efekt modulacji konduktywności bazy/98
6.3.5.      Efekt Kirka/98
6.3.6.      Efekt Early'ego/98
6.4.         Tranzystory z niejednorodną bazą/100
Literatura j'101
7        MODELE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
7.1.         Specyfika komputerowych metod projektowania/!02
7.2.         Modele tranzystora bipolarnego/102
7.3.         Modele tranzystora MOS/108
Literaturajl 11
8         EFEKTY PASOŻYTNICZE W UKŁADACH SCALONYCH
8.1.         Pasywne elementy pasożytnicze/112
8.1.1.      Pojemności złączy/112
8.1.2.      Pojemności dyfuzyjne/113
8.1.3.      Rezystancje rozproszone/113
8.2.         Aktywne elementy pasożytnicze — tranzystory/114
8.2.1.      Pasożytnicze tranzystory MOS/114
8.2.2.      Pasożytnicze tranzystory JFET/115
8.2.3.      Pasożytnicze tranzystory bipolarne/115
8.3.         Efekty termiczne i sprzężenia cieplne/117
9 PODUKŁADY BIPOLARNE ANALOGOWYCH UKŁADÓW SCALONYCH
9.1.         Źródła prądowe/121
9.1.1.      Źródła prądowe o stałej wydajności/122
9.1.2.      Źródła prądowe sterowane/123
9.2.         Wzmacniacze różnicowe/128
9.3.         Układy przejścia ze stopnia symetrycznego na asymetryczny/131
9.4.         Asymetryczne stopnie wzmacniające/132
9.5.         Obciążenia aktywne/133
9.6.         Układy przesuwania poziomów napięć/134
9.6.1.      Układy z wykorzystaniem spadku napięcia na rezystorze/134
9.6.2.      Układy z wykorzystaniem spadku napięcia na diodach/136
9.6.3.      Tranzystorowe układy przesuwania poziomów napięć/137
9.7.         Stopnie wyjściowe/138
9.7.1.      Układ z diodą kluczującą/139
9.7.2.      Układ z przełącznikiem tranzystorowym/139
9.7.3.      Układ z przełączaniem na diodach/140
9.7.4.      Układ stopnia wyjściowego z diodami kompensacyjnymi/l40
9.8.         Układy zabezpieczające/142
Literatura/l^
10    WZMACNIACZE OPERACYJNE
10.1.       Konstrukcja wzmacniacza operacyjnego/144
10.2.       Parametry wzmacniacza operacyjnego/146
10.2.1.    Wejściowy prąd polaryzacji/147
10.2.2.    Wejściowe napięcie niezrównoważenia/147
10.2.3.    Dryft cieplny napięcia niezrównoważenia/148
10.2.4.    Rezystancja wejściowa/148
10.2.5.    Rezystancja wyjściowa/148
10.2.6.    Zakres zmian napięcia wejściowego/148
10.2.7.    Wzmocnienie/149
10.2.8.    Współczynnik tłumienia sygnału wspólnego/149
10.2.9.    Współczynnik tłumienia wpływu napięcia zasilania/149
10.2.10.  Jednostkowa częstotliwość graniczna/149
10.2.11.  Szybkość narastania napięcia wyjściowego/149
10.2.12.  Czas ustalenia wartości napięcia wyjściowego/150
10.3.       Podstawowe konfiguracje układowe wzmacniaczy operacyjnych/150
10.4.       Stabilność i kompensacja częstotliwościowa/152
11.4.1.    Stabilność wmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym/153
10.4.2.    Metody korekcji stabilności wzmacniaczy/155
10.5.       Wzmacniacze instrumentalne/158
Literatura /159
11      UKŁADY ANALOGOWE SPECJALNEGO PRZEZNACZENIA
11.1.       Źródła napięcia referencyjnego/160
11.1.1.    Diody referencyjne/160
11.1.2.    Układy referencyjne z przerwą energetyczną/162
11.2.       Regulatory napięć/164
11.2.1.    Regulatory szeregowe/164
11.2.2.    Regulatory impulsowe/166
11.3.       Precyzyjne prostowniki/169
11.4.       Układy mnożące/170
11.4.1.    Układ wzmacniacza różnicowego z ogranicznikiem/170
11.4.2.    Podwójnie zrównoważony układ mnożący/171
11.4.3.    Układ regulacji wzmocnienia/173
11.4.4.    Krzyżowy przełącznik torów/174
Literatura j
11.4.5.    Multiplekser analogowy/174
11.5.       Układy przetworników napięcie — częstotliwość/175
11.6.       Układy z pętlą fazową — PLL/177
11.7.       Układy toru „sample and hold"/178
11.8.       Układy wzmacniaczy wielkich częstotliwości/180
11.9.       Komparatory napięć/181
Literatura 183
12      ANALOGOWE UKŁADY MOS
12.1.       Właściwości tranzystora MOS/184
12.1.1.    Transkonduktancja/184
12.1.2.    Wzmocnienie/185
12.1.3.    Pojemności tranzystora MOS/186
12.1.4.    Szumy/l 87
12.2.       Podukłady analogowych układów MOS/187
12.2.1.    Stopnie wzmacniające/187
12.2.2.v  Źródła prądowe/189
12.2.3.    Układy polaryzacji/190
12.2.4.    Układy napięcia referencyjnego/192
12.2.5.    Stopnie wyjściowe/193
12.3.       Niektóre rozwiązania analogowych układów MOS/194
12.3.1.    Wzmacniacze operacyjne/195
12.3.2.    Układy C-przełączane/197
Literatura /199
PRZETWORNIKI CYFROWO-ANALOGOWE I ANALOGOWO-CYFROWE
13.1.       Właściwości informacji cyfrowej,/200
13.2.       Przetworniki cyfrowo-analogowe/201
13.3.       Przetworniki analogowo-cyfrowe/206
13.3.1.    Metody czasowe/207
13.3.2.    Przetworniki kompensacyjne — szeregowe/208
13.3.3.    Przetworniki równoległe — „fiash"/210
13.3.4.    Przetworniki równoległo-szeregowe/211
13.3.5.    Przetworniki propagacyjne/212
Literatura 1213
14      CYFROWE UKŁADY LOGICZNE
14.1.       Rodziny bipolarnych układów logicznych/214
14.1.1.    Układy TTL/214
14.1.2.    Układy ECL/218
14.1.3.    Układy EFL/219
14.1.4.    Układy I2L/220
14.1.5.    Układy zintegrowane z diodami Schottky'ego/222
14.1.6.    Układy 3-rf/223
14.2.       Układy cyfrowe MOS/226
14.2.1.    Tranzystor MOS jako przyrząd obciążający/226
14.2.2.    Układy p-MOS/228
14.2.3.    Układy k-MOS/228
14.2.4.    Układy CMOS/228
14.2.5.    Dynamiczne układy logiczne/229
14.3.       Porównanie ograniczeń układów MOS i bipolarnych/230
14.3.1.    Ograniczenia tranzystorów MOS/230
14.3.2.    Ograniczenia tranzystorów bipolarnych/231
Literatura 1233
13       CYFROWE BLOKI FUNKCJONALNE
15.1.       Przerzutniki bistabilne/235
15.1.1.    Przerzutniki typu RS/235
15.1.2.    Przerzutniki JK/236
15.1.3.    Przerzutniki typu D/239
15.2.       Przerzutniki generacyjne/239
15.2.1.    Przerzutniki monostabilne/239
15.2.2.    Przerzutniki astabilne — wolnobiegnące/240
15.2.3.    Przerzutniki Schmitta/240
15.3.       Generatory/240
15.3.1.    Generatory pierścieniowe/241
15.3.2.    Generator z przerzutnikiem Schmitta/242
15.3.3.    Generatory kwarcowe/242
15.4.       Multipleksery i demultipleksery/244
15.5.       Komparatory cyfrowe/244
15.6.       Rejestry/244
15.7.       Liczniki/245
15.8.       Układy arytmetryczne/245
15.8.1.    Sumatory/246
15.8.2.    Multipłikatory/246
15.9.       Inne rozwiązania ukladowe/247  ____
15.9.1.    Wzmacniacze sygnałów cyfrowych — wzmacniacze odczytu/247
15.9.2.    Bramki transmisyjne/249
15.9.3.    Układy zabezpieczeń/250
15.9.4.    Układy autopolaryzacji/252
15.9.5.    Układy zabezpieczeń w technologii CMOS/253
15.10.     Specjalizowane układy cyfrowe/254
15.10.1.  Układy „gate array"/254
15.10.2.  Układy „standard ceIIs"/255
Literatura/255
16      MIKROPROCESORY
16.1.       Struktura mikroprocesora/257
16.2.       Instrukcje mikroprocesora/260
16.2.1.    Instrukcje przesłań/261
16.2.2.    Instrukcje arytmetyczne/261
16.2.3.    Instrukcje logiczne/262
16.2.4.    Instrukcje skoku/262
16.2.5.    Instrukcje wejścia i wyjścia/263
16.2.6.    Przerwania/263
16.3.       Przegląd mikroprocesorów/263
Literatura/266
1 /       PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE
17.1.       Pamięci typu RAM/267
17.1.1.    Pamięci dynamiczne RAM/268
17.1.2.    Statyczne pamięci RAM/269
17.2.       Pamięci stałe/271
17.2.1.    Pamięci ROM/271
17.2.2.    Układy PLA/273
17.2.3.    Układy PROM i FPLA/273
17.2.4.    Reprogramowalne pamięci stałe/274
Literatura/277
18     METODY KOMPUTEROWEGO PROJEKTOWANIA  UKŁADÓW SCALONYCH
18.1.       Poziom przyrządów półprzewodnikowych/279
18.2.       Poziom podukładów i układów/280
18.2.1.    Analiza układów liniowych/281
18.2.2.    Analiza układów nieliniowych/282
18.2.3.    Analiza stanów przejściowych/284
18.2.4.    Analiza układów z wykorzystaniem zasady zachowania ładunku/286
18.3.       Poziom układów logicznych/289
18.4.       Poziom masek/289
18.4.1.    Rozmieszczanie elemBntów/290
18.4.2.    Wytyczanie połączeń/291
18.5.       Optymalizacja projektu/291
Literatura
19     PROCESY TECHNOLOGICZNE WYTWARZANIA UKŁADÓW SCALONYCH
19.1.       Wygrzewanie wstępne/296
19.2.       Termiczne utlenianie krzemu/297
19.2.1.    Szybkość narastania tlenku/297
19.2.2.    Utlenianie pod zwiększonym ciśnieniem/300
19.2.3.    Pochłanianie krzemu przez tlenek/300
19.2.4.    Efekt segregacji domieszek w procesie utleniania/300
19.2.5.    Wytwarzanie tlenku pod bramki MOS/301
19.2.6.    Selektywne utlenianie krzemu/301
19.3.       Litografia/304
19.3.1.    Fotolitografia kontaktowa/304
19.3.2.    Fotolitografia zbliżeniowa/305
19.3.3.    Fotolitografia projekcyjna — skaningowa/305
19.3.4.    Fotolitografia z powielaniem kroczącym/305
19.3.5.    Elektronolitografia — litografia wiązką elektronową/305
19.3.6.    Rentgenolitografia/306
19.3.7.    Jonolitografia/306
19.3.8.    Ograniczenia litografii/306
19.4.       Trawienie/307
19.5.       Dyfuzja/309
19.5.1.    Zjawisko dyfuzji/309
19.5.2.    Sposoby dyfuzji/313
19.6.       Implantacja/315
19.6.1.    Budowa implantatora jonów/315
19.6.2.    Kontrola dozy domieszek/316
19.6.3.    Profile implantowanych warstw/316
19.6.4.    Wygrzewanie implantowanych warstw/318
19.6.5.    Problemy związane z implantacją jonów/318
19.7.       Nanoszenie warstw techniką CVD/319
19.7.1.    Urządzenia CVD z ciśnieniem atmosferycznym/320
19.7.2.    Urządzenia CVD z obniżonym ciśnieniem/320
19.7.3.    Urządzenia CVD wspomagane plazmą/320
19.8.       Metalizacja/320
Literatura /322
DODATKI
1.  Proces wytwarzania układów TTLS/323
2.  Proces wytwarzania układów n-MOS/327
3.  Proces wytwarzania układów CMOS/331
Skorowidz ;334 

Zapraszam do odwiedzenia innych naszych aukcji