SPIS TREŚCI _______ zamieszczam jedynie 25 % spisu
+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++
Część III. Zastosowania
10. Podstawowe właściwości układowe
10 1. Symbole i oznaczenia...............................................................
10.2. Właściwości małosygnałowe podstawowych układów włączenia.................................
10.2.1. Układ ze wspólnym źródłem — OS................................
10.2.2. Układ ze wspólnym drenem — OD..............
10.2.3. Układ ze wspólną bramką — OG..................................
10.3. Właściwości układu z obciążającym tranzystorem polowym.....................
10.3.1. Przypadek pracy tranzystora obciążającego w zakresie nasycenia .
10.3.2. Przypadek pracy tranzystora obciążającego w zakresie nienasycenia .
10.4. Tranzystor polowy jako źródło prądowe....................................
10.5. Wzmacniacze................................................
10.5.1. Wzmacniacz o bezpośrednim sprzężeniu z tranzystorami MOS .
10.5.2. Podstawowe wzmacniacze hybrydowe...............
10.6. Wzmacniacze różnicowe............................
10.6.1. Wzmacniacze różnicowe na tranzystorach polowych złączowych .
10.6.2. Wzmacniacz różnicowy hybrydowy....................
10.7. Scalony wzmacniacz operacyjny na tranzystorach polowych i bipolarnych .
Literatura
11. Układy wielkiej częstotliwości
11.1. Podstawy teoretyczne wzmacniaczy .wąskopasmowych dla pasma częstotliwości
radiowych...............................................
11.1.1. Wprowadzenie....................................................
11.1.2. Wzmocnienie mocy i stabilność.........................................................................
11.1.3. Modulacja skrośna, zmiana głębokości modulacji oraz zniekształcenia har
moniczne modulacji.............................................
11.2. Wzmacniacze w.cz. w konfiguracji wspólnego źródła i wspólnej bramki .
11.2.1. Porównanie własności........................................
11.2.2. Układy praktyczne i ich własności..................................
11.3. Kaskodowe wzmacniacze w.cz...................................
11.3.1. Właściwości i zastosowania...............................
11.3.2. Kaskoda scalona (tetroda)..................................
11.4. Mieszacze na tranzystorach polowych . '.........................
11.4.1. Podstawy teoretyczne...............................................
11.4.2. Przykłady praktycznych układów..............................
Literatura....................................................... 3
12. Zastosowanie układów scalonych MOS w technice cyfrowej
12.1. Wprowadzenie........................................ 3
12.2. Układy logiczne z obciążającymi tranzystorami MOS................................................... 3
12.2.1. Zasady ogólne....................................... 3
12.2.2. Proces przejściowy....................................... 3
12.2.3. Bramki logiczne................................... 3
12.2.4. Przerzutniki................................................... 3
12.3. Komplementarne układy logiczne MOS............................... 3
12.3.1. Proces przejściowy....................................... 3
12.3.2. Bramki logiczne................................................... 3
12.3.3. Przerzutnik komplementarny typu D......................... 3
12.4. Wielotaktowe układy logiczne.............................................................................................. 3
12.4.1. Dwutaktowe układy logiczne............................... 3
12.4.2. Czterotaktowy układ logiczny.......................... 3
12.5. JJkłady pamięciowe............................................................... 3
12.5.1. Pamięć na inwerterach z tranzystorami obciążającymi . 3
12.5.2. Pamięć na układach komplementarnych............................... 3
Literatura........................................................ 3
13. Inne zastosowania
13.1. Wyłączniki analogowe............................... 3
13.1.1. Wyłącznik analogowy na tranzystorze polowym złączowym .... 3
13.1.2. Wyłącznik analogowy na tranzystorze MOS.............................. 4
13.2. Zastosowania tranzystora polowego jako rezystora . .
13.2.1. Charakterystykik . . 4
Tłumienie sterowane napięciem
ul. Walecznych 24
75-691 Koszalin
