TECHNIKA WARSTWOWA W MIKROELEKTRONICE

praca zbiorowa

Wydawnictwo: WNT, 1973
Oprawa: twarda płócienna
Stron: 350
Stan: bardzo dobry, nieaktualne pieczątki

Nakład: 2710 egz.

Tematem książki są warstwy cienkie i grube w mikroelektronice — podstawowe wiadomości dotyczące zjawisk występujących w warstwach cienkich, wybrane zagadnienia technologiczno-konstrukcyjne dotyczące ich zastosowań w praktyce oraz kierunki rozwojowe w dziedzinie techniki cienkowarstwowej. Odrębne rozdziały poświęcono m. in. elementom cienkowarstwowych czynnym i biernym, elementom i projektowaniu układów cienkowarstwowych hybrydowych, kontroli i pomiarom parametrów układów, warstwom cienkim magnetycznym, układom scalonym mikrofalowym, a także warstwom grubym i mikroukładom hybrydowym grubowarstwowym.
Książka jest przeznaczona dla inżynierów elektroników oraz może być przydatna dla studentów wydziałów elektroniki — kierunek technologiczny.

SPIS TREŚCI

 

Wstęp — Arkadiusz Góral.

1. Własności ogólne warstw cienkich. Wytwarzanie, zastosowania — Arkadiusz Góral
1.1. Współczesne pojęcie warstwy cienkiej.
1.2. Własności fizyczne warstw.
1.3. Metody wytwarzania warstw cienkich.
1.4. Obszary zastosowań warstw cienkich w mikroelektronice

2. Podstawy termodynamiczne teorii kondensacji warstw i teoria nukleacji — Władysław Riedl
2.1. Teoria kondensacji warstw cienkich z jednoskładnikowego strumienia pary
2.1.1. Wprowadzenie.
2.1.2. Definicje funkcji termodynamicznych.
2.1.3. Potencjał termodynamiczny aglomeratów o powierzchni zakrzywionej
2.1.4. Teoria nukleacji.
2.1.5. Struktura kondensatu
2.1.6. Kondensacja według mechanizmów gaz -» ciało stałe oraz gaz-ciecz
2.2. Równowagi parowania i kondensacji układów dwuskładnikowych.
2.2.1. Własności układów dwuskładnikowych
2.2.2. Zależność składu pary od składu fazy skondensowanej
2.2.3. Równowaga pary z zarodkami dwuskładnikowymi
2.2.4. Zastosowanie kondensacji selektywnej do otrzymywania warstw związków półprzewodnikowych
Literatura

3. Własności fizyczne warstw cienkich — Bogusław Stępień.
3.1. Wprowadzenie.
3.2. Własności warstw metalicznych.
3.2.1. Elementarna teoria przewodnictwa w metalach.
3.2.2. Wpływ grubości na przewodnictwo warstw metalicznych
3.2.3. Wpływ grubości na współczynnik temperaturowy rezystywności warstw
3.2.4. Przewodnictwo warstw metalicznych o strukturze nieciągłej.
3.3. Własności warstw dielektrycznych i izolacyjnych.
3.3.1. Wprowadzenie.
3.3.2. Własności warstw dielektrycznych tlenku krzemu nanoszonych próżniowo
3.4. Adhezyjność warstw
3.4.1. Wprowadzenie.
3.4.2. Metody pomiaru adhezyjności.
Literatura

4. Wybrane zagadnienia technologii nanoszenia próżniowego warstw cienkich — Bogusław Stępień, Romana Marowska.
4.1. Wstęp
4.2. Naparowanie próżniowe
4.2.1. Warunki próżniowe.
4.2.2. Powtarzalność rozkładu grubości warstw cienkich naparowanych próżniowo
4.3. Rozpylanie katodowe
4.3.1. Wprowadzenie
4.3.2. Mechanizm rozpylania
4.3.3. Wyładowanie jarzeniowe
4.3.4. Rozpylanie w wyładowaniu jarzeniowym
4.3.5. Inne warianty metody rozpylania katodowego
4.3.6. Aparatura do rozpylania katodowego.
4.3.7. Trawienie jonowe
Literatura

5. Metody kształtowania struktur cienko warstwowych — TERESA ŁUKASIEWICZ, PIOTR BOCIEK
5.1. Maskowanie
5.1.1. Wprowadzenie.
5.1.2. Maskowanie bezpośrednie (fotolitografia).
5.1.3. Maskowanie pośrednie
5.2. Metody poprawiania parametrów elektrycznych struktur mikroelektronicznych biernych
5.2.1. Wprowadzenie.
5.2.2. Stabilizacja parametrów elektrycznych struktur biernych
5.2.3. Korekcja rezystorów i kondensatorów
5.2.4. Korekcja mechaniczna
5.2.5. Korekcja elektroerozyjna.
5.2.6. Korekcja laserowa wypalająca.
5.2.7. Korekcja termiczna.
5.2.8. Korekcja elektrochemiczna
5.2.9. Korekcja laserowa termiczna.
5.2.10. Korekcja pojemności

6. Elementy cienkowarstwowe bierne. Własności i technologia
6.1. Podłoża
6.2. Rezystory.
6.3. Kondensatory
6.4. Indukcyjności
6.5. Warstwy kontaktowe.
Literatura

7. Projektowanie mikroukładów cienkowarstwowych hybrydowych
7.1. Projektowanie robocze.
7.2. Projektowanie na najgorszy przypadek
7.3. Projektowanie statystyczne.
7.4. Wykonywanie fotomasek
Literatura

8. Parametry techniczne współczesnych mikroukładów cienkowarstwowych
8.1. Parametry elementów cienkowarstwowych
8.2. Elementy dyskretne układów hybrydowych
8.2.1. Wprowadzenie.
8.2.2. Elementy półprzewodnikowe
8.2.3. Kondensatory
8.2.4. Elementy indukcyjne.
8.2.5. Filtry ceramiczne
8.2.6. Rezystory.
8.3. Zagadnienia mikromontażu elementów czynnych i struktur półprzewodnikowych monolitycznych w układzie hybrydowym na podłożu izolacyjnym.
8.4. Rozwiązania konstrukcyjne mikroukładów

9. Warstwy grube i mikroukłady hybrydowe grubowarstwowe — Arkadiusz Góral
9.1. Własności materiałów stosowanych w technologii grubowarstwowej
9.1.1. Wprowadzenie.
9.1.2. Materiały podłożowe
9.1.3. Warstwy rezystancyjne
9.1.4. Warstwy przewodzące dla Ścieżek połączeniowych i elektrod
9.1.5. Warstwy dielektryczne
Proces technologiczny wytwarzania mikroukładu grubowarstwowego
9.2.1. Wprowadzenie.
9.2.2. Przygotowanie podłoży
9.2.3. Przygotowanie past do drukowania ścieżek przewodzących.
9.14. Drukowanie ścieżek przewodzących.
9.2.5. Wypalanie ścieżek przewodzących
9.2.6. Przygotowanie i kontrola własności kompozycji rezystancyjnych.
9.2.7. Drukowanie rezystorów.
9.2.8. Wypalanie rezystorów
9.2.9. Korekcja rezystorów
9.2.10. Cynowanie ścieżek przewodzących
9.2.11. Montaż wyprowadzeń, elementów czynnych i elementów biernych dyskretnych
9.2.12. Obudowy mikroukładu grubowarstwowego
9.2.13. Kontrola parametrów mikroukładów.
9.3. budowa mikroukładu grubowarstwowego i jego własności robocze
9.3.1. Wprowadzenie.
9.3.2. Własności rezystorów
9.3.3. Własności ścieżek przewodzących
9.3.4. Własności kondensatorów.
9.3.5. Własności cewek indukcyjnych.
9.3.6. Niezawodność mikroukładów grubowarstwowseh
Literatura

10. Kontrola i pomiary' końcowe mikroukładów — Ireneusz Jakubowski
10.1. Wiadomości ogólne.
10.2. Pomiary wzmacniaczy o ostro stolerowanych charakterystykach roboczych
10.2.1. Wprowadzenie
10.2.2. Pomiar napięcia niezrównowa/enia dla prądu zmiennego.
10.2.3. Pomiar zakresu automatycznej regulacji wzmocnienia
10.2.4. Pomiar szerokości pasma
10.2.5. Pomiar z zakresu zmian napięcia wejściowego sumacyjnego (wspólnego)
10.2.6. Pomiar napięcia wyjściowego sumacyjnego
10.2.7. Pomiar współczynnika symetrii
10.2.8. Pomiar wzmocnienia sygnału wspólnego
10.2.9. Pomiar wzmocnienia napięciowego różnicowego oraz wzmocnienia wejścia pojedynczego
10.2.10. Pomiary prądów wejściowych oraz ich niestabilności (dryftu).
10.2.11. Pomiary napięcia polaryzacji wejść, jego niestabilności temperaturowej (dryftu) oraz wpływu zmian napięć zasilających
10.2.12. Pomiar napięć maksymalnych wejściowych i wyjściowych
10.2.13. Pomiar napięcia stałego wyjściowego.
10.2.14. Pomiar napięć spoczynkowych wejściowego i wyjściowego
10 2.15. Pomiar rezystancji wyjściowej
10.2.16. Pomiar rezystancji wejściowej i wejściowej różnicowej
10.2.17. Pomiar wzmocnienia mocy.
10.2.18. Pomiar szybkości narastania napięcia wyjściowego.
10.3. Układy cyfrowe o dużych poziomach sygnałów.
Literatura

11. Zagadnienia aplikacyjne mikroukładów
11.1. Własności techniki hybrydowej i wzajemne stosunki zamawiający producent
11.2. Montaż, mikroukładów w urządzeniach elektronicznych
11.2.1. Problemy upakowania układów mikroelektronicznych
11.2.2. Płytki drukowane wielowarstwowe.
11.2.3. Technologia łączenia mikroukładów.
Literatura

12. Technika warstwowa jako metoda integracji elektronowej — Arkadiusz Góral
12.1. Wprowadzenie.
12.2. Elementy warstwowe jako struktury o stałych rozłożonych.
12.3. Hlementy cienkowarstwowe na podłożu półprzewodnikowym
12.4. Struktury typu SOS („krzem na szafirze", „krzem na krzemie").
12.5. Zaawansowane metody montażu struktur czynnych na podłożu biernym
12.6. Układy wielowarstwowe na warstwach grubych.
Literatura

13. Układy scalone mikrofalowe — Ryszard Vogel.
13.1. Charakterystyka ogólna
13.2. Prowadnice falowe
13.3. Obwody bierne o stałych rozłożonych
13.4. Realizacja linii paskowych niesymetrycznych oraz obwodów biernych o stałych rozłożonych
13.4.1. Wprowadzenie
13.4.2. Materiały izolacyjne podłożowe
13.4.3. Materiały przewodzące
13.4.4. Realizacja warstw przewodzących na podłożu.
13.5. Elementy o stałych skupionych.
13.6. Elementy czynne
13.7. Elementy ferrytowe
13.8. Pomiar własności układów mikrofalowych scalonych.
13.9. Przykłady układów scalonych mikrofalowych
Literatura

14. Elementy cienkowarstwowe czynne — Krystyna Szlink
14.1. Wprowadzenie.
14.2. Konstrukcja tranzystora cienkowarstwowego
14.3. Analiza mechanizmu działania tranzystora cienkowarstwowego
14.3.1. Model fizyczny
14.3.2. Interpretacja teoretyczna charakterystyk IV
14.4. Technologia tranzystorów cienkowarstwowych
14.5. Parametry tranzystora i jego stabilność
14.6. Układy scalone cienkowarstwowe
Literatura

15. Warstwy cienkie magnetyczne — Lidia Maksymowicz, Andrzej Maksymowicz
15 1. Technologia wytwarzania.
15.1.1. Wprowadzenie
15.1.2. Metody otrzymywania
15.2. Parametry.
15.2.1. Gęstość energii całkowitej (według teorii jednodomenowej)
15.2.2. Pole anizotropii jednoosiowej.
15.2.3. Dyspersja amplitudowa, dyspersja kątowa
15.2.4. Natężenie koercji.
15.2.5. Aparatura do pomiaru parametrów.
15.3. Własności impulsowe.
15.3.1. Wprowadzenie
15.3.2. Aparatura do badania warstw w polach impulsowych
15.4. Struktury wielowarstwowe
15.4.1. Własności
15.4.2. Technologia wytwarzania.
15.4.3. Układy wielowarstwowe przedzielone dielektrykiem.
15.5. Zespoły pamięciowe cienkowarstwowe
15.6. Cienkowarstwowe magnetyczne układy pamięciowe na podłożu drutowym
Literatura

Skorowidz