Unikalnainnowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung toprzełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością,wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architekturydwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzezułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowaniamniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takierozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanieprzestrzeni.

Optymalizacjaobliczeń dzięki technologii TurboWrite

Uzyskajnajwyższą wydajność odczytu / zapisu z myśląo przyspieszeniu codziennych obliczeń dzięki technologiiTurboWrite firmy Samsung. Użytkownik zyskuje nie tylko o ponad10% lepsze walory użytkowe w porównaniu z modelem 840EVO*, ale także do 1,9 raza większe prędkości zapisu losowegow przypadku modeli 120 / 250 GB**. Model 850EVO gwarantujenajwyższą w swojej klasie wydajność w zakresieprędkości sekwencyjnego odczytu (540 MB/s) i zapisu(520 MB/s). Użytkownik uzyskuje także wzrost wydajnościprocesów losowych we wszystkich kropkach kwantowych niezależnie odzastosowania.

Osiągajjeszcze większe prędkości z ulepszonym trybem RAPID

OprogramowanieMagician firmy Samsung oferuje dostęp do trybu Rapid, któryzapewnia dwukrotnie szybsze przetwarzanie danych* na poziomie systemupoprzez użycie niewykorzystanej pamięci komputera PC (DRAM) jakopamięci podręcznej. W swojej najnowszej wersji oprogramowanieMagician oferuje wzrost maksymalnego wykorzystania pamięci w trybieRapid z 1 GB w modelu 840 EVO do 4 GB w modelu850 EVO z układami DRAM o pojemności 16 GB.Użytkownik może także liczyć na dwukrotny wzrost wydajności*niezależnie od głębokości kolejki odczytu/zapisu losowego.

Gwarantowanatrwałość i niezawodność uzupełniona technologią V-NAND 3D

Model 850EVO zapewnia gwarantowany poziom trwałości i niezawodnościpoprzez podwojenie wskaźnika TBW* w stosunku do modelupoprzedniej generacji, tj. 840 EVO**, w ramach najdłuższej narynku, bo pięcioletniej gwarancji. Minimalny poziom spadkuwydajności oznacza, że model 850 EVO zapewnia zachowanie parametrówużytkowych o 30% wyższych w porównaniu z modelem840 EVO, stając się jednym z najbardziej niezawodnych modeliurządzeń pamięci masowej

Niższezużycie energii przez technologię V-NAND 3D to źródło wydłużeniaczasu trwania operacji obliczeniowych