Co to jest technologia V-NAND 3D i czym się różni od obecnego rozwiązania?
Unikalna innowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung to przełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością, wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez ułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanie przestrzeni.
Optymalizacja obliczeń dzięki technologii TurboWrite
Uzyskaj najwyższą wydajność odczytu / zapisu z myślą o przyspieszeniu codziennych obliczeń dzięki technologii TurboWrite firmy Samsung. Użytkownik zyskuje nie tylko o ponad 10% lepsze walory użytkowe w porównaniu z modelem 840 EVO*, ale także do 1,9 raza większe prędkości zapisu losowego w przypadku modeli 120 / 250 GB**. Model 850EVO gwarantuje najwyższą w swojej klasie wydajność w zakresie prędkości sekwencyjnego odczytu (540 MB/s) i zapisu (520 MB/s). Użytkownik uzyskuje także wzrost wydajności procesów losowych we wszystkich kropkach kwantowych niezależnie od zastosowania.
Osiągaj jeszcze większe prędkości z ulepszonym trybem RAPID
Oprogramowanie Magician firmy Samsung oferuje dostęp do trybu Rapid, który zapewnia dwukrotnie szybsze przetwarzanie danych* na poziomie systemu poprzez użycie niewykorzystanej pamięci komputera PC (DRAM) jako pamięci podręcznej. W swojej najnowszej wersji oprogramowanie Magician oferuje wzrost maksymalnego wykorzystania pamięci w trybie Rapid z 1 GB w modelu 840 EVO do 4 GB w modelu 850 EVO z układami DRAM o pojemności 16 GB. Użytkownik może także liczyć na dwukrotny wzrost wydajności* niezależnie od głębokości kolejki odczytu/zapisu losowego.
NIE WYSTAWIAM FV
SZUKASZ DODATKOWYCH DANYCH? WEJDŹ NA STRONĘ SAMSUNG
WYSYŁKA GRATIS
