Ta strona wykorzystuje pliki cookies. Korzystając ze strony, zgadzasz się na ich użycie. OK Polityka Prywatności Zaakceptuj i zamknij X

REKOMBINACJA PROMIENISTA w PÓŁPRZEWODNIKACH

15-05-2014, 16:58
Aukcja w czasie sprawdzania nie była zakończona.
Cena kup teraz: 35 zł      Aktualna cena: 24.99 zł     
Użytkownik net-mart
numer aukcji: 4244372353
Miejscowość Opole
Wyświetleń: 1   
Koniec: 25-05-2014 16:43:32

Dodatkowe informacje:
Stan: Używany
Okładka: miękka
info Niektóre dane mogą być zasłonięte. Żeby je odsłonić przepisz token po prawej stronie. captcha

"REKOMBINACJA PROMIENISTA w PÓŁPRZEWODNIKACH" , J.E.POKROWSKI ; PWN; nakład : 1 680 ; stan : plus db : pieczątki ; przesyłka polecona : 9,30 zł.


SPIS TREŚCI :

Od Wydawnictwa........................... 9


I. Międzypasmowa rekombinacja promienista w półprzewodnikach (Y. P. Varshni) ...... 11

§1. Wstęp............................... 11

§ 2. Optyczne własności półprzewodników................ 13
2.1. Oznaczenia stałych optycznych................. 13
2.2. Pochłanianie fotonów..................... 14
2.2.1. Przejścia proste (16)
2.2.2. Przejścia skośne (18)
2.3. Empiryczne wyrażenia na współczynnik pochłaniania....... 21

§ 3. Prędkość rekombinacji promienistej................. 22
3.1. Teoria van Roosbroecka-Shockleya............... 22
3.1.1. Samoistna koncentracja nośników (26)
3.1.2. Wyrażenia analityczne (27)
3.2. Ściślejsze obliczenia...................... 30
3.3. Masery półprzewodnikowe................... 31
3.4. Wydajność kwantowa..................... 34

§4. Metody pobudzania i badania rekombinacji promienistej ....... 37

§ 5. Podstawowe źródła literaturowe .......... 40

§ 6. Omówienie przedstawionych wyników................ 42

§ 7. Półprzewodniki monoatomowe................... 47
7.1. Diament........................... 47
7.1.1. Własności optyczne (47)
7.1.2. Przejścia promieniste (49)

7.2. Krzem............................ 53
7.2.1. Własności optyczne (53)
7.2.2. Przejścia promieniste (58)

7.3. German........................... 63
7.3.1. Własności optyczne (64)
7.3.2. Przejścia promieniste (67)

7.4. Selen amorficzny....................... 76
7.4.1. Własności optyczne (76)
7.4.2. Przejścia promieniste (77)

7.5. Selen heksagonalny...................... 80
7.5.1. Własności optyczne (80)
7.5.2. Przejścia promieniste (81)

7.6. Tellur............................ 82
7.6.1. Własności optyczne (82)
7.6.2. Przejścia promieniste (85)


§ 8. Półprzewodnikowe związki typu AIII - Bv.............. 86

8.1. Fosforek galu......................... 86
8.1.1. Własności optydzne (86)
8.1.2. Przejścia promieniste (89)

8.2. Arsenek galu...................... 91
8.2.1. Własności optyczne (91)
8.2.2. Przejścia promieniste (95)

8.3. Antymonek galu.................. 102
8.3.1. Własności optyczne (102)
8.3.2. Przejścia promieniste (103)

8.4. Fosforek indu.........................105
8.4.1.. Własności optyczne (105)
8.4.2. Przejścia promieniste (106)

8.5. Arsenek indu......................... 107
8.5.1. Własności optjczne (107)
8.5.2. Przejścia promieniste (110)

8.6. Antymonek indu.......................112
8.6.1. Własności optyczne (112)
8.6.2. Przejścia promieniste (114)
§9. Dyskusja i zestawienie przytoczonych danych............117


II. Promieniowanie rekombinacyjne półprzewodników (G. F. J. Garlick).........................131

§ 1. Wstęp..............................132
1.1. Przegląd historyczny ..................... 132
1.2. Krótkie omówienie procesów rekombinacyjnych......... 134
1.3. Materiały, których promieniowanie rekombinacyjne będzie omówione .............................. 135

§ 2. Teoretyczna dyskusja niektórych mechanizmów rekombinacji promienistej ...............................135
2.1. Rekombinacja elektronów i dziur przy przejściach międzypasmowych.............................136
2.1.1. Przejścia proste i skośne (136)
2.1.2. Kształt widma promieniowania (137)
2.1.3. Wydajność kwantowa i czas życia ze względu na promieniowanie (140)
2.2. Tworzenie ekscytonów i rekombinacja promienista........143
2.2.1. Teoria ekscytonów (143)
2.2.2. Widma ekscytonowe (145)
2.3. Promieniowanie z obszaru krawędzi absorpcji..........146
2.4. Rekombinacja za pośrednictwem defektów i domieszek......146
2.4.1. Rekombinacja i fotoprzewodnictwo w ciałach stałych z szeroką przerwą wzbronioną (147)
2.4.2. Przejścia z udziałem pary defektów lub domieszek (149)
2.4.3. Dyslokacje i rekombinacja promienista (152)
2.4.4. Przejścia wewnątrz-pasmowp i promieniowanie (152)
2.4.5. Promieniowanie rekombinacyjne i pole magnetyczne (153)
2.5. Metody pobudzania promieniowania rekombinacyjnego......154
2.5.1. Pobudzanie przez pochłanianie fotonów (154)
2.5.2. Promieniowanie rekombinacyjne pobudzane cząstkami o dużej energii (156)
2.5.3. Pobudzanie wstrzykiwaniem nośników mniejszościowych przez złącze p-n (158)
2.5.4. Promieniowanie rekombinacyjne ze złączy p-n spolaryzowanych w kierunku zaporowym (161)
2.5.5. Elektroluminescencja w półprzewodnikach z szeroką przerwą wzbronioną (162)


§3. Eksperymentalne badania promieniowania rekombinacjjnego .....169

3.1. Półprzewodniki monoatomowe............169
3.1.1. Diament (169)
3.1.2. Promieniowanie rekombinacyjne germanu (176)
3.1.3. Promieniowanie rekombinacyjne krzemu (180)
3.1.4. Promieniowanie rekombinacyjne węglika krzemu (182)
3.1.5. Tellur (185)

3.2. Promieniowanie rekombinacyjne niektórych związków . . 186
3.2.1. Arsenek galu (186)
3.2.2. Fosforek galu (191)
3.2.3. Antymonek galu (191)
3.2.4. Arsenek indu (191)
3.2.5. Fosforek indu (193)
3.2.6. Promieniowanie rekombinacyjne antymonku indu (193)

3.3. Promieniowanie rekombinacyjno związków typu AII-BVI 195
3.3.1. Bezpośrednie promieniowanie rekombinacyjne (190)
3.3.2. Widma promieniowania rekombinacji pośredniej (198)
3.3.3. „Samoaktywowane" pasma promieniowania (198)
3.3.4. Promieniowanie podczerwone siarczków cynku i kadmu (200)
3.3.5. Elektroluminescencja związków typu AII-BVI (205)
3.3.6. Wymuszone promieniowanie związków typu AII-BVI (208)

3.4. Promieniowanie rekombinacyjno soli ołowiu i pokrewnych związków .............................210
3.4.1. PbS, PbSe, PbTe (210)
3.4.2. PbSnTe (215)

§ 4. Dyskusja niektórych aktualnych problemów.............216
4.1. Laserowanie i emisja wymuszona w półprzewodnikach......216
4.2. Problem uzyskania promieniowania w półprzewodnikach o szerokiej przerwie wzbronionej przy pobudzaniu wstrzykiwaniem nośników . . 217

III. Rekombinacja promienista i własności optyczne fosforku galu (A. E. Junowicz).........................227
§ 1. Wstęp..............................227
§ 2. Struktura pasmowa fosforku galu..................229
2.1. Ogólna postać struktury pasmowej...............229
2.2. Struktura pasmowa w pobliżu krawędzi przerwy wzbronionej . . . 234
2.2.1. Pasmo przewodnictwa (234)
2.2.2. Pasmo walencyjne (237)
2.2.3. Szerokość przerwy wzbronionej (237)

2.3. Własności optyczne fosforku galu................239
2.3.1. Rozważania teoretyczne (239)
2.3.2. Widma pochłaniania (241)
2.3.3. Dyspersja współczynnika załamania i widma odbicia (242)

2.4. Widmo fononowe fosforku galu.................243

§ 3. Rekombinacja promienista swobodnego ekscytonu w GaP.......246
3.1. Dyskusja teoretyczna.....................246
3.2. Dane eksperymentalne.....................248

§ 4. Rekombinacja promienista w fosforku galu z udziałem stanów domieszkowych ..............................250
4.1. Klasyfikacja domieszek....................250

4.2. Klasyfikacja mechanizmów rekombinacji promienistej z udziałem jednego atomu domieszkowego.254

4.3. Rekombinacja promienista ekscytonu związanego z neutralnym izoelektronowym centrum......254
4.3.1. Rozważania teoretyczne (254)
4.3.2. Dane doświadczalne dla izoelektronowego akceptora — azotu N w GaP (258)
4.3.3. Dane doświadczalne dla izoelektronowych donorów — bizmutu i antymonu w GaP (261) 4.3.4. Rekombinacja promienista przy udziale donorów VI grupy (263)
§ 5. Rekombinacja promienista za pośrednictwem par donor-akceptor . . 273
5.1. Rozważania teoretyczne....................274
5.2. Rekombinacja za pośrednictwem par utworzonych przez donory VI grupy i akceptory II grupy..................281
5.3. Rekombinacja za pośrednictwem kompleksów atomów tlenu i cynku (lub kadmu) zajmujących najbliższe węzły sieci.........286
5.4. Rekombinacja za pośrednictwem par domieszek składających sig z donorów VI grupy i akceptorów IV grupy............288
5.5. Rekombinacja za pośrednictwem donorów IV grupy i akceptorów IV lub II grupy.......................296
5.6. Rekombinacja międzydomieszkowa w układach typu neutralne centrum (lub kompleks) - naładowane centrum...........299

§ 6. Podsumowanie..........................301