Ta strona wykorzystuje pliki cookies. Korzystając ze strony, zgadzasz się na ich użycie. OK Polityka Prywatności Zaakceptuj i zamknij X

RD06HVF1 Mitsubishi za 2SC1970 2SC1971

12-09-2014, 10:02
Aukcja w czasie sprawdzania była zakończona.
Cena kup teraz: 27.57 zł     
Użytkownik SONiKO
numer aukcji: 4510356646
Miejscowość Słupsk
Wyświetleń: 19   
Koniec: 12-09-2014 09:55:20
Dodatkowe informacje:
Stan: Nowy
Waga (z opakowaniem): 0.05 [kg]
info Niektóre dane mogą być zasłonięte. Żeby je odsłonić przepisz token po prawej stronie. captcha

  Doro Automatyka
      ul. Krzywoustego 8 a
      76 - 200 Słupsk
aukcja dotyczy tranzystora

 

RD06HVF1 producent Mitsubishi


 RD06HVF1

zastępczy za 2SC1970 , 2SC1971

tranzystory Mitsubishi RD06HVF1

specjalnie zaprojektowane dla

zastosowań nadawczych RF

- źródło jest na 2 nóżce i radiatorze

co pozwala znacznie zmniejszyć

pasożytnicze pojemnosci w układzie

RD06HVF1.

RoHS Compliance,

Silicon MOSFET

Power Transistor

175MHz, 6W. RD06HVF1.

Ic-3A Pout 6W V 12,5V 175MHz , tranz. mocy UKF

Przy zasilaniu 12,5V oddaje bez problemów ok 8W w paśmie 2m.

Tranzystor jest dosyć odporny na "złe traktowanie" (niedopasowanie anteny)

RD06HVF1
Схема усилителя на RD06HVF1

wejście i impedancja wyjściowa 75 Ohm,
wzmacniacz jest dołączony do radiatora mosiężnymi śrubami
wykonanie na dwustronnej PCB, folia po trawienie jest polerowana i otwory o średnicy 0,6-0,8 mm
użyte rezystory powinny być bezindukcyjne
moc wejściowa nie powinna przekraczać 0,5 watów
Wzmacniacz działa dobrze z 0,05-0,1 watów.
Moc może być ustawiony na dowolnej częstotliwości w zakresie 87,5-108 MHz
Najpierw stroimy część wejściowa
Ustawienia dokonuje się trymerami C1 i C2 do maksymalnego sygnału wyjściowego.
C1 = 16 pF C2 = 24 pF.
Napięcie bramki (na metr RF napięcia wysterowania 15) powinna być w zakresie od 2-3 woltów, wystarczająco dla pełnego wysterowania tranzystora.
strojenie wyjścia - trymer C10, C12 do maksymalnego napięcia na obciążeniu.

Wewnętrzna średnica cewki L2, L5 - 3,5 mm . Ilość zwoi - 2,75

 

фото1

 

 

 

Фото усилителя на RD15HVF1


 RD06HVF1

 

następca nieprodukowanych - 2sc1970 , 2sc1971

 

MosFet ze żrodlem na obudowie

 

- niepotrzebna podkładka izolująca),

tranzystor ma rewelacyjne wzmocnienie

na innych naszych aukcjach RD15HVF1-101 Pbf RD00HVS1-101- Pbf


tranzystory MOSFET przeznaczone do zastosowań w aplikacjach RF

Cechują się wysoką zdolnością przełączania oraz niską rezystancją statyczną RDS(on). Mogą pracować w szerokim zakresie temperatur od -55° do 175°C.

Mitsubishi Semiconductor


http://www.funart.com.hk/Mitsubishi/SiRF%20discreate/RD06HVS1_REV040407.pdf


KONTAKT:

    * mail: [zasłonięte]@gmail.com
    * tel:
      era/T-MOBILE 664 [zasłonięte] 707
              play 794 [zasłonięte] 068
            virgin 799 [zasłonięte] 093
    * osobisty:
      Doro Automatyka
      ul. Krzywoustego 8 a
      76 - 200 Słupsk
    * przesyłka Pocztą Polską

pracujemy w godzinach 8-14 od poniedziałku do piątku

Przesyłki wysyłamy w dniu otrzymania płatności lub w dniu kolejnym

możliwy odbiór osobisty
Krzywoustego 8A
76-200 Słupsk
 w godzinach 8-14 od poniedziałku do czwartku

wysyłka
zakupione elementy (z wszystkich aukcji) wysyłamy w jednej przesyłce
przesyłki wysyłamy w dniu otrzymania płatności lub w dniu kolejnym

wysyłka realizowana jest
godzina 14 - przesyłki priorytetowe i pobrania godzina 18  -pozostałe

do każdej przesyłki dołączamy faktury  VAT

gwarancje:
     wszystkie przedmioty wystawione na naszych aukcjach posiadają 2 LATA gwarancji
     wystawiamy faktury VAT 



http://www.uploadarchief.net/files/download/1%2C5watts-FM.zip
http://www.uploadarchief.net/files/download/8watts-FM.zip