PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
PODSTAWY FIZYCZNE TECHNOLOGIA KONSTRUKCJA
Ben G. Streetman
Wydawnictwo: WNT, 1976
Oprawa: twarda płócienna z obwolutą
Stron: 366
Stan: bardzo dobry, nieaktualne pieczątki
W książce podano podstawy teorii półprzewodników i procesów przewodzenia w ciałach stałych, opis złączy i ich zastosowań, wprowadzenie do teorii kwantów i wiadomości o laserach, omówienie działania i konstrukcji tranzystorów, układów scalonych, przyrządów przełączających i mikrofalowych.
Książka jest przeznaczona dla inżynierów elektroników oraz dla studentów wyższych szkół technicznych.
SPIS TREŚCI:
Przedmowa
1. Właściwości kryształów i wzrost półprzewodników
1.1. Materiały półprzewodnikowe
1,2. Sieci krystaliczne
1.1. Struktury okresowe
1.2.2. Sieci regularne
1.23. Płaszczyzny i kierunki
1.24. Sieć diamentu
1.3. Wzrost monokryształów półprzewodników
1.31. Wzrost kryształów z fazy ciekłej
1.12. Czyszczenie strefowe
1.3. Wzrost kryształów z roztworów
1'.4. Wzrost kryształów z fazy gazowej
Literatura
Problemy
2. Atomy i elektrony
2.1. Wprowadzenie do modeli fizycznych
2.2. Zjawiska doświadczalne
2.2.1. Zjawisko fotoelektryczne
2.2.2. Widma atomów
2.3. Model Bohra
2.4. Mechanika kwantowa ,
2.4.1. Prawdopodobieństwo i zasada nieoznaczoności . *
2 4.2. Równanie falowe Schródingera
2.4.3. Zagadnienie jamy potencjału
2.4.4. Tunelowanie
2.5. Struktura atomu i układ okresowy
2.5.1. Atom wodoru
2.5.2. Układ okresowy
Literatura
Problemy
3. Pasma energetyczne i nośniki ładunków w półprzewodnikach
31. Siły wiązań i pasma energetyczne w ciałach stałych
3.11. Siły wiązań w ciałach stałych
3.12. Pasma energii
3.13. Metale, półprzewodniki i izolatory
3.14. Półprzewodniki z przejściami bezpośrednimi i pośrednimi
3.2. Nośniki ładunku w półprzewodnikach
3.21. Elektrony i dziury
3.22. Masa efektywna
Półprzewodnik samoistny
3.23. Półprzewodniki domieszkowane
33. Koncentracje nośników
3.31. Poziomy Fermiego
3.32. Koncentracja elektronów i dziur w stanie równowagi
3.33. Temperaturowa zależność koncentracji nośników
3.34. Kompensacja i zasada obojętności ładunku przestrzennego
34. Unoszenie nośników w polu elektrycznym i magnetycznym
3.41. Przewodność i ruchliwość
3.42. Zależność ruchliwości i rezystywności od temperatury
3.43. Efekt gorących nośników
3.44. Efekt Halla
Literatura
Problemy
4 Nośniki nadmiarowe w półprzewodnikach
4.1. Absorbcja optyczna
4.1.1. Przepuszczanie i absorbcja
4.1.2. Współczynnik absorbcji i pasmo zabronione
4.2. Luminescencja
4.2.1. Fotoluminescencja
4.2.2. Katodoluminescencja. Lampa elektronowiązkowa
4.2.3. Elektroluminescencja -
4.3. Czas życia nośników i fotokonduktancja
4.3.1. Rekombinacja bezpośrednia elektronów i dziur
4.3.2. Rekombinacja pośrednia. Pułapkowanie
4.3.3. Generacja nośników w stanie ustalonym. Poziomy ąuasi-Fermiego
4.3.4. Przyrządy fotoelektryczne
4.4. Dyfuzja nośników
4.4.1. Mechanizmy dyfuzji
4.4.2. Dyfuzja i unoszenie nośników
4.4.3. Dyfuzja i rekombinacja. Równanie ciągłości
4.4.4. Wstrzykiwanie nośników w stanie ustalonym. Droga dyfuzyjna
4.4.5. Doświadczenie Haynesa-Schockleya
Literatura
Problemy
5 Złącza p-n
5.1. Wytwarzanie złącz p-n
5.1.1. Złącza wyciągane
5.1.2. Złącza stopowe
5.1.3. Złącza dyfuzyjne
5.1.4. Implantacja jonów
5.2. Stan równowagi
5.2.1. Potencjał dyfuzyjny
5.2.2. Poziomy Fermiego w stanie równowagi
5.2.3. Ładunek przestrzenny złącza
5.3. Złącza spolaryzowane w kierunku przewodzenia i w kierunku zaporowym. Stan ustalony
5.3.1. Jakościowy opis przepływu prądu przez złącze p-n
5.3.2. Wstrzykiwanie nośników
5.3.3. Prądy nośników mniejszościowych i większościowych
5.4. Przebicie złącza przy polaryzacji w kierunku zaporowym
5.4.1. Przebicie Zenera
5.4.2. Przebicie lawinowe
5.5. Stan nieustalony i praca złącza p-n przy przepływie prądu zmiennego
5.5.1. Zmiany zmagazynowanego ładunku w funkcji czasu
5.5.2. Stan nieustalony odzyskiwania właściwości zaporowych
5.5.3. Pojemność złącz p-n
5.6. Zmiany wprowadzane do uproszczonej teorii złącza
5.6.1. Wpływ potencjału dyfuzyjnego na wstrzykiwanie nośników
5.6.2. Rekombinacja i generacja w obszarze przejściowym
5.6.3. Straty omowe
5.6.4. Złącza o stopniowej zmianie koncentracji domieszek
Literatura
Problemy
6 Przyrządy złączowe
6.1. Dioda złączowa
6.1.1. Prostowniki
6.1.2. Diody przełączające; dioda o szybkim wyłączaniu
6.1.3. Dioda stabilizująca
6.1.4. Dioda waraktorowa
6.2. Diody tunelowe
6.2.1. Półprzewodniki zdegenerowane
6.2.2. Działanie diody tunelowej
6.2.3. Zastosowania układowe
f .2.4. Porównanie z diodami innego rodzaju
2.3.5. Wytwarzanie diod tunelowych
5.3. Fotodiody
5.3.1. Napięcie i prąd oświetlonego złącza
5.3.2. Ogniwa słoneczne
5.3.3. Fotodetektory
5.4. Złącza o emisji świetlnej
5.4.1. Zastosowanie diod elektroluminescencyjnych
5.4.2. Materiały
5.4.3. Wytwarzanie diod elektroluminescencyjnych
5.5. Mozaiki diodowe
Literatura
Problemy
7 Lasery
7.1. Emisja stymulowana
7.2. Laser rubinowy
7.2.1. Rezonator
7.2.2. Inwersja obsadzeń w rubinie
7.2.3. Lasery impulsowe wielkiej mocy
7.3. Inne systemy laserowe
7.3.1. Systemy laserowe z pierwiastkami ziem rzadkich
7.3.2. Lasery gazowe
7.4. Lasery półprzewodnikowe
7.4.1. Inwersja obsadzeń w złączu
7.4.2. Wytwarzanie
7.4.3. Widmo emisji lasera złączowego
7.4.4. Materiały stosowane w laserach półprzewodnikowych
7.5. Zastosowania laserów
7.5.1. Doświadczenia
7.5.2. Łączność
7.5.3. Zastosowania w medycynie i do obróbki mechanicznej
Literatura
Problemy
8 Przyrządy wzmacniające
8.1. Zasady wzmacniania: triody
8.1.1. Działanie i charakterystyki triody
8.1.2. Wzmacnianie '
8.2. Tranzystory polowe
8.2.1. Złączowe tranzystory polowe
$.2.2. Tranzystory polowe z izolowaną bramką
$.3. Złączowe tranzystory bipolarne
$.3.1. Zasada działania tranzystora bipolarnego
$.3.2. Wzmacnianie za pomocą tranzystora bipolarnego
$.3.3. Wytwarzanie
Literatura
Problemy
9. Analiza bipolarnego tranzystora złączowego
9.1. Rozkłady nośników mniejszościowych i prąd zewnętrzny tranzystora
9.1. Rozwiązanie równania dyfuzji w obszarze bazy . . .
9.11. Wyznaczenie prądów zewnętrznych tranzystora . . .
9.12. Aproksymacja prądów zewnętrznych tranzystora . .
92. Uogólnienie polaryzacji; przełączanie
9.21. Model sprężonych diod
9.22. Analiza ładunkowa
9.23. Przełączanie
93. Zjawiska wtórne
9.31. Unoszenie nośników w obszarze bazy
9.32. Zwężanie bazy
9.33. Przebicie lawinowe
9.34. Poziom wstrzykiwania, wpływy termiczne
9.35. Rezystancja bazy i wstrzykiwanie krawędziowe emitera
94. Ograniczenia częstotliwościowe tranzystorów ....
9.41. Pojemność i czasy ładowania
9.42. Zjawisko czasu przelotu
9.43. Tranzystory pracujące na wielkich częstotliwościach .
Literatura
Problemy
10 Układy scalone
101. Informacje ogólne
10.11. Zalety scalania
10.12. Rodzaje układów scalonych
10.13. Elementy bierne układów hybrydowych
102. Wytwarzanie monolitycznych układów scalonych
10.21. Maskowanie i dyfuzja selektywna
10.22. Izolacja
10.23. Elementy układów monolitycznych
10.24. Pasywacja
10.25. Użycie maszyny cyfrowej przy wytwarzaniu i badaniu układów scalonych ....
103. Montaż układów scalonych
10.31. Wykonywanie połączeń drutowych
10.32. Metody montażu przy pomocy wyprowadzeń sferycznych i wyprowadzeń belkowych
10.33. Zamykanie w obudowach
104. Układy o wielkiej skali integracji
Literatura
Problemy
11 Przyrządy przełączające
111. Tranzystor jednozłączowy
11.11. Zasada działania
11.12. Stosowane geometrie tranzystorów jednozłączowych
112. Przyrządy czterowarstwowe (p-n-p-ri)
11.21. Dioda p-n-p-n
11.22. Półprzewodnikowy prostownik sterowany — tyrystor
11.23. Przyrządy bilateralne
11.24. Wytwarzanie i zastosowanie
Literatura
Problemy
12 Przyrządy mikrofalowe z ujemną konduktancją
121. Diody lawinowe IMPATT
12.11. Diody Reada
12.12. Inne struktury IMPATT
122. Efekt Gunna i przyrządy na nim oparte
12.21. Mechanizm przenoszenia elektronów
12.22. Tworzenie się i unoszenie domen ładunku przestrzennego
12.23. Rodzaje pracy v. układach rezonansowych
12.24. Wytwarzanie
Literatura
Problemy
