ALFRED ŚWIT
Przyrządy półprzewodnikowe

WNT 1969, stron: 350 stan db+ (podniszczona lekko okładka, przykurzona)

ISBN

W książce omówiono podstawy fizyczne, własności i charakterystyki oraz konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych, takich jak: diody, tranzystory, termistory, hallotrony i przyrządy fotoelektryczne.
Książka jest przeznaczona jako podręcznik dla wydziałów elektroniki wyższych szkół technicznych. Mogą z niej również korzystać inżynierowie i technicy pracujący przy projektowaniu, konstruowaniu i użytkowaniu przyrządów półprzewodnikowych.


Przedmowa
Ważniejsze oznaczenia literowe
Wstęp
Rozdział 1.   Wiadomości  podstawowe   o  półprzewodnikach  jednorodnych
1.1. Budowa przestrzenna i model pasmowy półprzewodnika Rozdział 2.   Własności elektryczne półprzewodników jednorodnych
2.1.  Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku
2.2.  Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3.  Oddziaływanie   pola   magnetycznego   na   nośniki   ładunku w półprzewodniku
2.4.  Zakłócenie koncentracji nośników ładunku  w  półprzewodniku
2.5.  Transport nadmiarowych nośników ładunku w półprzewodniku
Rozdział 3.   Termistory
3.1.  Charakterystyka temperaturowa rezystancji
3.2.  Charakterystyka  napięciowo-prądowa
3.3.  Przykłady typowych konstrukcji i zastosowań termistorów
Rozdział 4.   Hallotrony
4.1.  Charakterystyki  statyczne  oraz  parametry
4.2.  Typowe konstrukcje i zastosowanie hallotronów
Rozdział 5.   Złącza p-n (diody półprzewodnikowe)
5.1.  Zjawiska fizyczne w złączu p-n
5.1.1.   Rozkład koncentracji domieszek i powstawanie dipolowej warstwy ładunku w złączu p-n
5.1.2.   Model pasmowy złącza p-n
5.2.  Przepływ prądu przez złącze p-n pod wpływem napięcia doprowadzonego z zewnątrz
5.2.1.   Mechanizm przepływu grądu przez złącze p-n
5.2.2.   Charakterystyka statyczna prądowo-napięciowa idealnego złącza p-n
5.2.3.   Własności idealnego złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego
5.2.4.   Charakterystyka    prądowo-napięciowa    rzeczywiitego złącza p-n
5.2.5.   Charakterystyka I(U) złącza p-n z silnie domieszkowanego półprzewodnika
5.2.6.  Wpływ temperatury  na  charakterystykę  i  własności złącza p-n
5.3. Przykłady  typowych metod wykonywania  złącz  p-n
Rozdział 6.   Styki metal-półprzewodnik
6.1. Własności styków m-p
Rozdział 7.   Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich charakterystyki i parametry techniczne
7.1.  Zastosowania i związane z nimi rodzaje diod
7.1.1.   Diody  prostownicze
7.1.2.   Diody  detekcyjne i mieszające
7.1.3.   Diody   impulsowe
7.1.4.   Diody   stabilizacyjne  (diody  Zenera)
7.1.5.   Diody   pojemnościowe
7.1.6.   Diody  tunelowe
7.2.  Przykłady typowych konstrukcji obudów diod półprzewodnikowych
EoEdział 8.   Tranzystory z jednorodną bazą
8.1.  Zasada  działania  tranzystora  z jednorodną  bazą
5.2.  Sposoby połączenia tranzystora ze źródłem sygnału i obciążeniem
8.3.  Zasady   polaryzacji  tranzystora
8.4.  Ogólne równania tranzystora idealnego w  warunkach statycznych
8.5.  Charakterystyki statyczne tranzystora idealnego
8.6.  Parametry tranzystora idealnego dla małych amplitud prądu zmiennego
8.6.1.   Parametry i układ zastępczy dla zakresu małych częstotliwości
8.6.2.   Częstotliwości  graniczne tranzystora   idealnego
8.6.3.   Parametry i układ zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości
8.6.4.   Farametry i układ zastępczy dla zakresu wielkich częstotliwości
8.7.  Tranzystor rzeczywisty z jednorodną bazą
8.7.1.   Rezystancja rozproszona bazy
8.7.2.   Parametry tranzystora rzeczywistego dla małych amplitud prądu zmiennego
8.7.3.   Charakterystyki statyczne tranzystora rzeczywistego
8.7.4.   Własności tranzystora w zakresie dużych koncentracji nośników wprowadzanych do bazy
Rozdział 9.   Tranzystory z niejednorodną bazą (tranzystory dryftowe)
9.1.  Zasada  działania
9.2.  Parametry   idealnego   tranzystora   dryftowego   dla   małych amplitud prądu zmiennego
9.3.  Tranzystor dryftowy rzeczywisty
Rozdział 10. Zależność własności tranzystora od temperatury oraz szumy tranzystora
10.1.  Wpływ temperatury na własności tranzystora
10.2.  Szumy  tranzystora
Rozdział 11. Typowe metody wykonywania złącz tranzystorowych i konstrukcje   tranzystorów
11.1.  Metody wykonywania złącz tranzystorowych
11.2.  Typowe  konstrukcje  tranzystorów
Rozdział 12. Tranzystory unipolarne
t 12.1. Zasada  działania i własności  tranzystora  unipolarnego  ze złączem p-n
12.2. Zasada    działania   i   własności    tranzystora    unipolarnego z izolowaną  bramką
Rozdział 13. Tranzystory p-n-p-n  (tyrystory)
13.1.  Zasada  działania tranzystora  p-n-p-n
13.2.  Model fizyczny i teoria tranzystora p-n-p-n
13.3.  Parametry techniczne tranzystorów p-n-p-n
Rozdział 14. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryezne
14.1.  Oporniki fotoelektryczne
14.2.  Fotodiody półprzewodnikowe
Wykaz  literatury Skorowidz

Zapraszam do zakupu oraz na moje pozostałe aukcje