Opis książki
Spis treści
Przedmowa
Ważniejsze oznaczenia literowe
Wstęp
Rozdział l. Wiadomości podstawowe o półprzewodnikach
1.1. Budowa przestrzenna i model pasmowy półprzewodnika
Rozdział 2. Właściwości elektryczne półprzewodników
2.1. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku
2.2. Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3. Oddziaływanie pola magnetycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3.1. Zjawisko Halla
2.3.2. Zjawisko Gaussa
2.4. Zakłócenie koncentracji nośników ładunku w półprzewodniku
2.4.1. Generacja (uwalnianie oraz wprowadzanie) i rekombinacja nadmiarowych nośników ładunku
2.4.2. Rekombinacja bezpośrednia
2.4.3 Rekombinacja pośrednia
2.4.4. Rekombinacja powierzchniowa
2.4.5. Poziomy ąuasi-fermiowskie
2.5. Transport nadmiarowych nośników ładunku w półprzewodniku
2.5.1. Prąd dyfuzji nośników ładunku i prąd całkowity
2.5.2. Równania transportu
2.5.3. Ambipolarne równanie, transportu
2.5.4. Równanie prądu elektronów i dziur w zapisie ambipolarnym
2.6. Właściwości elektryczne półprzewodnika niejednorodnego
Rozdział 3. Złącza p-n (diody półprzewodnikowe)
3.1. Zjawiska fizyczne w złączu p-n
3.1.1. Rozkład koncentracji domieszek i powstawanie dipolowej warstwy ładunku w złączu p-n.
3.1.2. Rozkład potencjałów w złączu p~n i jego model pasmowy
3.1.3. Pojemność warstwy zaporowej złącza p-n
3.2. Przepływ prądu przez idealne złącze p-n pod wpływem napięcia .doprowadzonego z zewnątrz
3.2.1. Mechanizm przepływu prądu przez złącze p-n
3.2.2. Charakterystyka .statyczna prądowo-napięciowa idealnego złącza p-n
3.2.3. Właściwości idealnego złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego
3.3. Rzeczywiste złącze p-n
3.3.1. Wpływ rezystancji szeregowej na charakterystyką prądowo-na-pięciową złącza p-n
3.3.2. Przebicie złącza p-n spolaryzowanego w kierunku zaporowym 99
3.3.3. Generacja i rekombinacja nośników ładunku w warstwie zaporowej złącza p-n
SPIS THESCI
3.3.4. Wpływ unoszenia nadmiarowych nośników ładunku na charakterystykę złącza p-n
3.3.5. Złącze p+-n z bazą o dowolnej grubości
3.3.5.1. Charakterystyka statyczna złącza p+-n z bazą o dowolnej grubości
3.3.5.2. Właściwości złącza p+-n z bazą o dowolnej grubości dla małych amplitud prądu zmiennego
3.3.6. Wpływ temperatury na charakterystykę i właściwości złącza
p-n .
3.3.7. Szumy złącza p-n
3.4. Charakterystyka I(U) złącza p-n o bardzo dużych koncentracjach domieszek
3.5. Przykłady typowych metod wykonywania złącz P-n
Rozdział 4. Złącza l-h
4.1. Zjawiska występujące w złączu l-h przy prz3pływie prądu
4.1.1. Ekskluzja nośników mniejszościowych w złączu l-h
4.1.2. Akumulacja nośników mniejszościowych w złączu l-h
4.2. Złącze l-h jako element struktury półprzewodnikowej
Rozdział 5. Styki metal-półprzewodnik
Rozdział 6. Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich charakterystyki i parametry techniczne
6.1. Zastosowania ł związane z nimi rodzaje diod
6.1.1. Diody prostownicze
6.1.2. Diody detekcyjne i mieszające
6.1.3. Diody impulsowe
6.1.4. Diody stabilizacyjne (diody Zenera)
6.1.5. Diody pojemnościowe
6.1.6. Mikrofalowe diody modulacyjne, tłumiące i przełączające
6.1.7. Mikrofalowe 'diody generacyjne
6.1.7.1. Diody tunelowe
6.1.7.2. Diody lawinowe
6.1.7.3. Diody Gunna
6.2. Przykłady typowych konstrukcji obudów diod półprzewodnikowych
Rodział 7. Tranzystory z jednorodną bazą
7.1. Zasada działania tranzystora z jednorodną bazą
7.2. Sposoby połączenia tranzystora ze źródłem sygnału i obciążeniem
7.3. Zasady polaryzacji tranzystora
7.4. Ogólne równania tranzystora idealnego w warunkach statycznych
7.5. Charakterystyki statyczne tranzystora idealnego
7.6. Parametry tranzystora idealnego dla małych amplitud prądu zmiennego
7.6.1. Parametry i układ zastępczy dla zakresu małych częstotliwości
7.6.2. Częstotliwości graniczne tranzystora idealnego
7.6.3. Parametry i układ zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości
7.7. Tranzystor rzeczywisty z jednorodną bazą
7.7.1. Rezystancja rozproszona bazy
7.7.2. Parametry tranzystora rzeczywistego dla małych amplitud prądu zmiennego
7.7.3. Charakterystyki statyczne tranzystora rzeczywistego ....
7.7.4. Właściwości tranzystora w zakresie dużych koncentracji nośników wprowadzanych do bazy
Rozdział 8. Tranzystory z niejednorodną baza.
8.2. Parametry idealnego tranzystora z niejednorodną bazą dla małych amplitud prądu zmiennego
8.3. Rzeczywisty tranzystor z niejednorodną bazą
Rozdział 9. Właściwości, charakterystyki i parametry impulsowe tranzystora
9.1. Zablokowanie, przewodzenie aktywne i nasycenie tranzystora
9.2. Charakterystyki przełączania tranzystora
Rozdział 10. Typowe metody wykonywania i konstrukcje tranzystorów bipolarnych
10.1. Metody wykonywania tranzystorowych struktur
10.2. Typowe konstrukcje tranzystorów
Rozdział 11. Tranzystory unipolarne
11.1. Zasada działania i właściwości tranzystora unipolarnego ze złączem
p-n
11.2. Zasada działania i właściwości tranzystora unipolarnego z izolowani) bramką
Rozdział 12. Zależność właściwości tranzystora od temperatury
12.1. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora bipolarnego
12.2. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora unipolarnego
Rozdział 13. Szumy tranzystorów
13.1. Szumy tranzystorów bipolarnych
13.2. Szumy tranzystorów unipolarnych
Rozdział 14. Tranzystory p-n-p-n (tyrystory)
14.1. Zasada działania tranzystora p-n-p-n .
14.2. Model fizyczny i teoria tranzystora p-n-p-n
14.3. Parametry techniczne tranzystorów p-n-p-n
Rozd/Jal 15. Układy scalone
15.1. Klasyfikacja układów scalonych
15.2. Półprzewodnikowe układy scalone
15.2.1. Metody izolacji indywidualnych elementów półprzewodnik" wego układu scalonego
15.2.2. Konstrukcje tranzystorów i diod specyficzne dla półpr/.r wodnikowych układów scalonych
15.2.3. Sposoby wykonywania połączeń w półprzewodnikowym układzie scalonym
15.2.4. Konstrukcje rezystorów specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych
15.2.5. Konstrukcje kondensatorów specyficzne- dla półprzewodnikowych układów scalonych
Klcmenty indukcyjne w półprzewodnikowych układach ICI lonych
Rozdział 16. Półprzewodnikowe przyrządy optoelektroniczne
16.1. Półprzewodnikowe źródła promieniowania
16.1.1. Diody elektroluminescencyjne
16.1.2. Lasery półprzewodnikowe złączowe
16.2. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryczne
16.2.1. Fotorezystory
16.2.2. Fotodiody półprzewodnikowe
16.3. Transoptory
Rozdział 17. Termistory
17.1. Charakterystyka temperaturowa rezystancji
17.2. Charakterystyka napięciowo-prądowa
17.3. Przykłady typowych konstrukcji i zastosowań termistorów
Rozdział 18. Warystory
Rozdział 19. Hallotrony i gaussotrony
19.1. Charakterystyki statyczne oraz parametry hallotronów
19.2. Typowe konstrukcje i zastosowania hallotronów
19.3. Charakterystyki statyczne oraz parametry gaussotronów
19.4. Typowe konstrukcje i zastosowanie gaussotronów
Wykaz literatury
Skorowidz
