PODSTAWY TEORII PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

G.J. Pikus

Wydawnictwo: WKŁ, 1968
Oprawa: miękka
Stron: 434
Stan: bardzo dobry, nieaktualne pieczątki

Książka zawiera materiał obejmujący najnowsze osiąg­nięcia światowe z zakresu fizycznego działania wszelkiego rodzaju diod, tranzystorów, elementów fotoelektrycznych i laserów półprzewodnikowych.
Praca jest przeznaczona dla inżynierów elektroników zaj­mujących się zagadnieniami związanymi z konstrukcją, działaniem, badaniem i zastosowaniem elementów półprze­wodnikowych.

SPIS TREŚCI:

Wykaz ważniejszych oznaczeń
Przedmowa
   
1. Półprzewodniki i metale   
1.1. Dielektryki i przewodniki   
1.2. Półprzewodniki   
1.3. Statystyka elektronów i dziur w półprzewodnikach i metalach . . .
1.4. Koncentracja elektronów i dziur w półprzewodnikach samoistnych i do­mieszkowych    

2. Kontakt metal-pólprzewodnik   
2.1. Emisja termoelektronowa i kontaktowa różnica potencjałów . . . .
2.2. Kontakt metal-półprzewodnik       
3. Prąd dyfuzyjny i prąd unoszenia   
3.1. Ruchliwość nośników prądu   
3.2. Prąd dyfuzyjny   

4. Prostowanie prądu w złączu metal-półprzewodnik   
4.1. Wpływ zewnętrznego pola elektrycznego na zjawiska zachodzące w warstwie przykontaktowej   
4.2. Dyfuzyjna teoria prostowania   
4.3. Diodowa teoria prostowania   

5. Zjawiska powierzchniowe   
5.1. Rozkład nośników w warstwie przypowierzchniowej   
5.2. Zjawisko polowe   
5.3. Wpływ stanów powierzchniowych na właściwości kontaktu metal-pół
przewodnik; złącze        

6. Nośniki nadmiarowe w półprzewodniku   
6.1. Generacja i rekombinacja nośników prądu   
(i.2. Rekombinacja przez centra domieszkowe   
(i.3. Równanie ciągłości   
Rekombinacja powierzchniowa   
64. Rozkład nośników w półprzewodniku jednorodnym przy generacji pro­mieniowaniem. Poziomy quasifermiowskie   

7. Prostowanie prądu w złączu p—n   
7.1. Rozkład nośników w złączu p-n   
7.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe złącza p-n z pominięciem rekom­binacji w obszarze ładunku przestrzennego   
7.3. Dioda z cionką bazą. Wpływ kontaktów metalicznych   
7.4. Charakterystyka prądowo —napięciowa złącza p—n z uwzględnieniem re­kombinacji w obszarze ładunku przestrzennego   
7.5. Złącze p-n pod wpływem napięcia zmiennego   
7.6. Porównanie rzeczywistych charakterystyk złącz p—n z teoretycznymi; zjawisko przebicia   

8. Tranzystor   
8.1. Teoria tranzystora p-n—p   
8.2. Parametry tranzystora przy małej częstotliwości   
8.3. Tranzystor przy dużych poziomach wprowadzania   
8.4. Zależność parametrów tranzystora od częstotliwości   
8.4.1. Tranzystor p—n—p przy wielkiej częstotliwości   
8.4.2. Tranzystory p-n-i—p oraz n-p-i-n   
8.4.3. Tranzystor dryflowy   

9. Diody służące do generacji i wzmacniania bardzo wielkich częstotliwości .
9.1. Diody lawinowe   
9.2. Dioda parametryczna   
9.3. Dioda tunelowa   
9.4. Charakterystyki prądowo-napięciowe diod tunelowych w niskich tem­peraturach a struktura pasmowa półprzewodników   

10. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryczne i lasery   
101. Przyrządy fotoelektryczne ze złączem p-n   
102. Sprawność ogniwa fotoelektrycznego   
103. Fototranzystor   
104. Laser półprzewodnikowy
   
Przypisy   
Bibliografia   
Skorowidz