Opis książki
Spis treści
Oznaczenia
ł. Wiadomości wstępne...
1.1. Elementy elektronowe. Układy elektroniczne.
1.2. Sposób opisu elementów elektronowych.
1.3. Sposób opisu układów elektronicznych.
1.4. Sposób opisu przebiegów elektrycznych w układach elektronicznych
t- Podstawy fizyczne działania elementów próżniowych i gazswanycn
2.1. Emisja elektronów...
2.1.1. Rodzaje emisji.
2.1.2. Termokatody.
2.1.3. Ruch elektronu w polu elektrycznym ł magnetycznym
2.2. Lampy elektronowe..
2.2.1. Dioda próżniowa
2.2.2. Trioda próżniowa..
2.2.3. Pentoda i inne lampy wieloelektrodowe
2.2.4. Lampy elektronopromieniowe (obrazowe)
2.2.4.1. Lampa kineskopowa.
2.2.4.2. Lampa kineskopowa do telewizji kolorowej
2.2.5. Lampy mikrofalowe.
2.2.6. Lampy gazowane.
2.2.6.1. Gazotrony..
2.2.6.2. Tyratrony
2.2.7. Lampy jarzeniowe.
3. Podstawy fizyczne działania elementów półprzewodnikowych
3.1. Wiadomości wstępna.
3.2. Modele pasmowe przewodników, dielektryków i półprzewodników nie-domieszkowanych
3.3. Modele pasmowe półprzewodników domieszkowanych
3.4. Przepływ prądu w (półprzewodniku domieszkowanym
3.5. Złącze p-n
3.8. Właściwości złącza p-n. Polaryzacja złącza
3.7. Efekt jonizacji lawinowej i prąd Zenera w złączu p-n
3.8. Zjawisko tunelowe w bardzo silnie domieszkowanych złączach (zdege-nsrowanych)
3.9. Diody półprzewodnikowe
3.9.1. Charakterystyki statyczne. Parametry statyczne. Rezystancja dynamiczna
3.9.2. Bezwładność diody. Pojemności diody
3.9.3. Rodzaje diod i innych elementów półprzewodnikowych dwójniko-kowych
3.9.3.1. Diody stopowe
3.9.3.2. Diody ostrzowe
3.9.3.3. Diody dyfuzyjne epitaksjalno-planarne
3.9.3.4. Dioda Zenera (stabilitron)
3.9.3.5. Dioda tunelowa
3.9.3.6. Dioda waraktorowa
3.9.3.7. Dioda metal-półprzewodnik
3.9.3.8. Diody laserowe
3.9.4. Elementy półprzewodnikowe bez złączy p-n 94
3.9.4.1. Termistory
3.9.4.2. Hallotrony
3.10. Tranzystory bipolarne
3.10.1. Zasada działania. Konstrukcja tranzystora bipolarnego
3.10.2. Charakterystyki statyczne
3.10.3. Schematy zastępcze tranzystora
3.10.4. Parametry tranzystora bipolarnego
3.10.5. Wpływ temperatury na pracą tranzystora
3.10.6. Parametry macierzowe tranzystora
3.11. Tranzystory unipolarne .
3.11.1. Wiadomości ogólne
3.11.2. Zasada działania tranzystora unipolarnego JFET
3.11.3. Charakterystyki statyczne
3.11.4. Schematy zastępcze tranzystora unipolarnego JFET
3.11.5. Zasada działania tranzystora unipolarnego typu IGFET (MOSFET)
3.11.6. Schemat zastępczy i parametry małosygnałowe tranzystorów IGFET
3.12. Tyrystory
3.12.1. Zasada działania
4. Elementy bierne układów elektronicznych
4.1. Rezystory
4.2. Kondensatory
4.3. Cewki indukcyjne
4.4. Transformatory
4.5. Linie przesyłowe i opóźniające
5. Przetworniki wielkości fizycznych na sygnały elektryczne
5.1. Klasyfikacja przetworników..
5.2. Przetworniki piezoelektryczne.
5.3. Przetworniki elektroakustyczne.
5.3.1. Głośniki
5.3.2. Mikrofony.
5.4. Przetworniki świetlne.
5.4.1. Fotodiody.
5.4.2. Fototranzystory.
5.4.3. Fotorezystory
6. Układy zasilające
6.1. Prostowniki
6.1.1. Wiadomości
6.1.2. Prostownik
6.1.3. Prostownik wym
6.1.4. Prostownik
6.1.5. Prostownik
ogólne
półfalowy (jednopołówkowy) bez filtru
6.1.6. Prostownik
6.1.7. Prostownik
6.1.8. Prostowniki
6.1.9. Prostowniki
półfalowy (jednopołówkowy) z filtrem indukcyjnym całofalowy (dwupołówkowy)
całofalowy z filtrem indukcyjnym.
całofalowy z filtrem indukcyjno-pojemnościowym
wielofazowe..
sterowane
7. Wzmacniacze małych sygnałów
7.1. Wiadomości ogólne.
7.2. Wzmacniacz napięciowy z lampą elektronową
7.2.1. Zasilanie
7.2.1.1. Układ zasilania pentody
7.2.2. Wzmacniacz napięciowy z pentodą w układzie wspólnej katody
7.2.3. Układ zasilania triody. Wzmacniacze triodowe w układzie WK .
7.2.4. Wzmacniacz kaskodowy (układ WK-WS
7.2.5. Wtórnik katodowy (układ W A)..
7.3. Wzmacniacz napięciowy z tranzystorem unipolarnym.
7.3.1. Zasilanie i parametry podstawowe wzmacniacza z tranzystorem złączowym w układzie wspólnego źródła WS
7.3.2. Zasilanie i parametry podstawowe układu z tranzystorem unipolarnym z izolowaną bramką (MOSFET)
7.3.3. Zasilanie i parametry podstawowe układu WE z tranzystorem bipolarnym
7.3.3.1. Zasilanie wzmacniaczy z tranzystorami bipolarnymi . 73.3.2. Parametry wzmacniacza w zakresie średnich częstotliwości
7.3.3.3. Parametry wzmacniacza w zakresie małych częstotliwości.
7.3.3.4. Parametry wzmacniacza w zakresie dużych częstotliwości
7.3.4. Wzmacniacze w układzie wspólnej bazy WB.
7.3.5. Wzmacniacze w układzie wspólnego kolektora WK
7.3.6. Wzmacniacze wielostopniowe
7.4. Sprzężenie zwrotne.
7.4.1. Właściwości ogólne.
7.4.2. Metoda przybliżona określania parametrów układu ze sprzężeniem zwrotnym.
7.5. Parametry macierzowe tranzystorów
7.6. Wzmacniacze różnicowe..
7.6.1. Zasada działania
7.6.2. Parametry podstawowe wzmacniacza różnicowego
7.7. Wzmacniacze operacyjne.
7.7.1. Zasada działania. Parametry podstawowe
7.7.2. Charakterystyki częstotliwościowe wzmacniacza operacyjnego .
