PASTA SILIKONOWA TERMOPRZEWODZĄCA H AG 0,5g SASZET

17-10-2014, 11:21
Aukcja w czasie sprawdzania była zakończona.

Cena kup teraz: 1 zł

Użytkownik ELKOM-SERWIS

numer aukcji: 4615697946

Miejscowość Inowroclaw

Koniec: 17-10-2014 09:58:30

szablon allegro 3v0

Sklep ELKOM-SERWIS

Kontakt

ELKOM-SERWIS
Balczewo 23A
88-110 Inowrocław
NIP 556[zasłonięte]118-19

e-mail:
sklep@
sklep-elektroniczny.com.pl

tel.: 603 [zasłonięte] 349

Konto mBank:
071[zasłonięte]200400[zasłonięte]30230[zasłonięte]039

Zasady aukcji

Po zalicytowaniu towaru proszę o podanie sposobu platności i wybór dowodu zakupu: paragon lub FV.

Towar wysyłamy w ciągu 24h od wpłynięcia przelewu na konto bankowe lub od potwierdzenia zakupu, przy formie płatności za pobraniem.

Paczki przesyłamy za pośrednictwem Poczty.

Koszt wysyłki pokrywa kupujacy.

Przy jednoczesnym zakupie kilku naszych przedmiotów koszty wysyłki naliczane są tylko raz !!!

Do każdego zamówienia wystawiany jest paragon lub FAKTURA VAT

Gwarancja

Towar jest NOWY i w oryginalnym opakowaniu

Każdy towar objęty jest gwarancją producenta.

Zgodnie z ustawą o ochronie niektórych praw konsumentów oraz o odpowiedzialności za szkodę wyrządzoną przez produkt niebezpieczny (Dz.U. z dnia 2 marca 2000r.) Klient ma prawo zwrócić towar w ciągu 10 dni kalendarzowych od jego otrzymania bez podania przyczyny.

PASTA SILIKONOWA

TERMOPRZEWODZĄCA
AG 0,5g SASZETKA

Pasta termoprzewodząca:

ułatwia odprowadzanie ciepła z elementów elektronicznych do radiatora - procesory, tranzystory mocy, triaki, tyrystory, i innych,

chroni pred wpływami atmosferycznymi,

zapobiega przebiciom,

charakteryzuje się bardzo dobrą odpornością chemiczną na utlenianie,

szeroki zakres temperatury pracy.

Dane techniczne:

Zakres temperatury pracy: od –50°C do 200°C

Waga: 0,5g

Gęstość w temp. 20°C: 1,47 G/cm3

Temperatura zapłonu: 350°C

Temperatura krzepnięcia: -50°C

Współczynnik przenikania ciepła 0-150°C: 0,78 W/m K

Stała dielektryczna przy 100 Hz: 4,7 (±0,1)

Oporność skrośna: 5 x 1014 Ohm x cm

Tangens kąta stratności dielektrycznej przy f=100 Hz: 0,020 (±0,003)