Modele tranzystorów i diod - John G. Linvill

29-11-2014, 19:32
Aukcja w czasie sprawdzania była zakończona.

Cena kup teraz: 9.90 zł

Użytkownik TwojeKsiazki

numer aukcji: 4752708933

Miejscowość Kraków

Koniec: 29-11-2014, 19:18

Dodatkowe informacje:
Stan: Używany

Modele tranzystorów i diod - John G. Linvill

Wydawnictwo: WN-T (Wydawnictwo Naukowo-Techniczne)

ISBN	brak
Liczba stron	193
Oprawa	miękka
Rok wydania	?
Stan książki	dst */ brak strony tytułowej

Spis treści

Przedmowa................. 9

1 Wprowadzenie do diod półprzewodnikowych, tranzystorów i ich

modeli................. 13

1.1. Stosowanie modeli............. 13

1.2. Dioda półprzewodnikowa........... 15

1.2.1. Dioda idealna............ 16

1.2.2. Model fizyczny diody.......... 17

1.3. Tranzystor............... 19

1.3.1. Idealizowany model tranzystora....... 21

1.3.2. Przykład użycia modelu idealizowanego..... 23

1.3.3. Model tranzystora Ebersa-Molla....... 27

1.4. Streszczenie.............. 29

Zadania................ 29

2. Nośniki ładunku w półprzewodnikach i mechanizmy ich transportu .................. 31

2.1. Materiał półprzewodnikowy: struktura krystaliczna i własności elektronowe.............. 31

2.1.1. Elektrony walencyjne i elektrony przewodnictwa w ciałach stałych............. 33

2.1.2. Zależność temperaturowa koncentracji elektronów

i dziur.............. 35

2.1.3. Półprzewodniki domieszkowe; donory i akceptory . . 37

2.2. Wprowadzenie modelu o stałych skupionych..... 40

2.2.1. Przedstawienie procesów generacji i rekombinacji . . 43

2.2.2. Średni prąd rekombinacyjny w stanach nierównowagowych ............... 44

2.2.3. Przykłady stanów nieustalonych....... 46

2.3. Transport nośników w półprzewodnikach...... 49

2.3.1. Transport nośników w wyniku dyfuzji..... 50

2.3.2. Transport nośników za pomocą unoszenia w polu elektrycznym 52

2.4. Ładunek przestrzenny i aproksymacja jego neutralności . . 56

2.4.1. Model uproszczony........... 59

2.5. Przykład zastosowania modelu o stałych skupionych ... 61

2.6. Streszczenie.............. 63

Zadania................ 66

3- Złącze p-n................ 70

3.1. Uproszczony model złącza p-n......... 70

3.2. Równowaga prądu dyfuzyjnego i prądu unoszenia w złączu niespolaryzowanym............ 71

3.2.1. Rozkład domieszek i koncentracja z dala od złącza . . 72

3.2.2. Ładunek niezrównoważony i równanie Poissona ... 73

3.2.3. Równowaga podstawowa i związek między napięciem

a koncentracją............ 75

3.2.4. Napięcie wewnętrzne.......... 77

3.2.5. Grubość obszaru przejściowego....... 78

3.2.6. Ocena prądu dyfuzyjnego w złączu...... 80

3.3. Doprowadzenie napięcia zewnętrznego do złącza p-n ... 81

3.4. Ciągłość prądów elektronowego i dziurowego w obszarze przejściowym ............... 85

3.5. Zależność napięciowa grubości obszaru przejściowego; pojemność złącza............... 86

3.6. Streszczenie............... 89

Zadania................ 90

4. Dyfuzyjne modele o stałych skupionych złącza p-n .... 92

4.1. Opis działania diody............ 92

4.1.1. Wnioski wynikające z jakościowego opisu działania

diody............... 95

4.2. Analiza modelu diody złożonego z wielu segmentów ... 95

4.2.1. Część prądu przepływającego przez złącze przenoszona

przez jeden rodzaj nośników........ 99

4.3. Przedstawienie obszarów typu p i n za pomocą pojedynczych segmentów w przypadku prądu stałego....... 100

4.3.1. Przykłady modeli jednosegmentowych..... 102

4.3.2. Przewodność różniczkowa diody....... 106

4.4. Gromadzenie nośników mniejszościowych w diodzie . . . 107

4.4.1. Wyznaczanie parametrów modeli diod..... 109

4.5. Przykłady obliczeń przy użyciu modeli o stałych skupionych 114

4.6. Streszczenie . ............ 117

Zadania................ 118

5. Modele o stałych skupionych tranzystora...... 121

5.1. Istotne elementy działania tranzystorowego...... 121

5.2. Model o stałych skupionych tranzystora idealnego .... 122

5.2.1. Własności modelu o stałych skupionych dla prądu stałego 124

5.2.2. Przykład parametrów stałoprądowych..... 127

5.3. Własności modelu o stałych skupionych tranzystora idealnego przy prądzie zmiennym........... 129

5.3.1. Przykład przypadku prądu zmiennego..... 133

5.3.2. Przykład odpowiedzi nieustalonej modelu o stałych skupionych .............. 138

5.4. Tranzystor o wewnętrznym polu w bazie...... 142

5.5. Elementy zewnętrzne; opór bazy i pojemność kolektora . . 144

5.6. Streszczenie.............. 145

Zadania................ 147

<6. Modele funkcjonalne tranzystora

6.1. Wyprowadzenie modeli funkcjonalnych z modelu o stałych

skupionych............... 151

6.1.1. Elementy zewnętrzne i zjawiska drugorzędne . . . 152

6.2. Model typu T dla konfiguracji o wspólnej bazie .... 152

6.2.1. Modulacja grubości bazy......... 155

6.2.2. Parametry h tranzystora w układzie o wspólnej bazie przy małych częstotliwościach........ 157

6.2.3. Przykład użycia parametrów mierzonych .... 159

b i Układ o wspólnym emiterze; model Giacoletto..... 161

6 3 1 Zjawiska drugorzędne w układzie o wspólnym emiterze 163

6 3 2. Przykład użycia zmierzonych parametrów y . . . . 165

6 4 Model o stałych skupionych stosowany w przypadkach dużych

sygnałów

6 4.1. Przełącznik tranzystorowy.........

6!4.2. Przykład przełącznika tranzystorowego..... 170

6 5 Streszczenie..............

Zadania................176

Dodatek A. Konstrukcje tranzystorów......... 180

Dodatek B. Pomiar parametrów czwórnika....... 186

Rozwiązania zadań............... 189

Skorowidz