W książce podano wszechstronne informacje na temat tranzystorów nowej generacji, stosowanych w technice mikrofalowej, tj. tranzystorów polowych HEMT i tranzystorów bipolarnych HBT, wytwarzanych w oparciu o heterozłącza półprzewodników. Ostatni rozdział jest poświęcony heterozłączowym dipolom tunelowym RTD, służącym jako źródło fal milimetrowych i submilimetrowych. W celu lepszego zrozumienia zasad działania tych przyrządów, w początkowej części książki przedstawiono właściwości fizyczne ważniejszych półprzewodników grupy A3B5 oraz heterozłączy. Omawiając parametry poszczególnych grup przyrządów powiązano je z zarysem konstrukcji i technologii. Książka przeznaczona jest dla inżynierów elektroników; może być także przydatna studentom wyższych szkół technicznych