Wiesław Kuźmicz
PROJEKTOWANIE ANALOGOWYCH UKŁADÓW SCALONYCH 

 
WNT 1981, str. 288, stan db/db- (podniszczona lekko okładka, zakurzona)
ISBN  83-[zasłonięte]-0321-9

W książce omówiono głównie projektowani konstrukcyjno-technologiczne analogowych układów scalonych. Książka zawiera również informacje o technologii tych układów, o budowie i właściwościach elementów monolitycznych układów scalonych oraz zagadnienia ekonomiczne projektowania i produkcji. Książka jest przeznaczona dla inżynierów elektroników — konstruktorów i technologów; może być również przydatna studentom wydziałów elektroniki.


WSTĘP-9
WIADOMOŚCI PODSTAWOWE-13
TECHNOLOGIA ANALOGOWYCH MONOLITYCZNYCH UKŁADÓW SCALONYCH-15
Struktura monolitycznego układu scalonego i sposób jej wytwarzania-15
Właściwości warstw epitaksjalnych-21
Procesy dyfuzji-25
Utlenianie-32
Metalizacja-34
Fotolitografia-36
PRZEGLĄD ELEMENTÓW MONOLITYCZNYCH ANALOGOWYCH UKŁADÓW SCALONYCH-38
Kilka uwag ogólnych-38
Tranzystory bipolarne-39
Rezystory- 45
Diody-49
Kondensatory-50
Tranzystory unipolarne-52
Elementy pasożytnicze-54
BLOKI FUNKCJONALNE ANALOGOWYCH UKŁADÓW SCALONYCH-59
Zarys problemów układowych-59
Źródła prądowe-62
Źródła napięciowe-72
Wzmacniacze różnicowe i ich zastosowania-80
Wyjściowe stopnie mocy-91
Podsumowanie-98
O ZAGADNIENIACH EKONOMICZNYCH PRODUKCJI UKŁADÓW SCALONYCH-100
Co to znaczy: zaprojektować układ optymalnie?-100
Czynniki określające koszt produkcji układu scalonego-101
Współzależności między konstrukcją układu, powierzchnią zajętą przez
układ i uzyskiem-105
O najlepszej strategii projektowania-114
PROJEKTOWANIE ELEMENTÓW UKŁADU SCALONEGO-117
ZALEŻNOŚCI I OBLICZENIA PODSTAWOWEH9
Koncentracja nośników, ruchliwość, rezystywność-119
Rezystancja warstwowa-125
Złącze p-n: szerokość warstwy zaporowej, głębokość wnikania warstwy
zaporowej w obszary złącza, pojemność-130
Złącze p-n: napięcie przebicia-137
TRANZYSTOR BIPOLARNY NPN-141
Zależność prądu kolektora od napięcia baza-emiter dla niezbyt dużych
gęstości prądu kolektora-141
Praca tranzystora przy dużych gęstościach prądu kolektora — zjawiska w warstwie epitaksjalnej-146
Zależność prądu bazy od napięcia baza-emiter. Współczynnik wzmocnienia prądowego-157
Efekty wynikające z trójwymiarowego rozpływu prądów w tranzystorze.
Stabilność elektryczno-cieplna tranzystora-165
Wpływ zmian temperatury oraz zmian parametrów technologicznych na charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora-174
Właściwości tranzystora dla wielkich częstotliwości-181
TRANZYSTORY BIPOLARNE PNP-184
Tranzystor podłożowy-184
Tranzystor boczny-187
REZYSTORY-194
Rezystory bazowe-194
Inne rodzaje rezystorów-201
POZOSTAŁE ELEMENTY-205
Diody-205
Kondensatory-206
Tranzystory unipolarne-208
KILKA UWAG KOŃCOWYCH-216
PROJEKTOWANIE STRUKTURY UKŁADU SCALONEGO
ZASADY OGÓLNE-219
Przebieg procesu projektowania-219
Określanie wymagań technologicznych i niektórych reguł projektowania-221
Zasady rozmieszczania elementów-226
Zasady projektowania połączeń-233
KONSTRUOWANIE ROZMIESZCZENIA ELEMENTÓW I SIECI POŁĄCZEŃ-237
Budowa grafu układu-237
Planaryzacja grafu rozszerzonego układu i zastosowanie tego grafu do rozmieszczenia elementów i poprowadzenia połączeń-245
ZAKONCZENIE-259
STAŁE FIZYCZNE I MATERIAŁOWE-264
FUNKCJE OPISUJĄCE ROZWIĄZANIA RÓWNANIA
DYFUZJI-265
RUCHLIWOŚĆ NOŚNIKÓW W KRZEMIE I REZYSTYWNOŚĆ KRZEMU-267
REZYSTANCJA WARSTWOWA WARSTW DYFUNDOWANYCH-269
NAPIĘCIA PRZEBICIA ZŁĄCZY P-N-272
WSPÓŁCZYNNIK K>-276
LITERATURA-280
SKOROWIDZ-284 

Zapraszam na inne moje aukcje