WYSYŁKA DZISIAJ !!!

CODZIENNIE W DNI ROBOCZE

WYSTARCZY DO GODZ. 13.00 wysłać do nas:

1) deklarację odbioru przesyłki "za pobraniem"
lub
2) skan przelewu
albo
3) wpłacić za pośrednictwem "Płacę z Allegro"



ELEKTRONICZNE PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań

Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel

Stan książki/ek: NOWA, książka pofałdowana od wilgoci, bez zacieków, przebarwień, posklejanych stron i innych usterek. PRZECENA.
Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Stron: 252
Nakład: 350 egz.
Okładka: miękka
Format: B5

Z okładki:

Zadania prezentowane w niniejszej książce powinny umożliwić lepsze zrozumienie zasad działania przyrządów półprzewodnikowych, których charakterystyki zależą od wielu parametrów materiałowych, takich-jak: szerokość przerwy energetycznej, stopień domieszkowania poszczególnych obszarów półprzewodnika, ruchliwość nośników, współczynniki dyfuzji nośników czy temperatura. W zadaniach analizowane są zagadnienia związane z określaniem typu przewodnictwa oraz wyznaczaniem konduktywności półprzewodnika. Rozważane są zagadnienia związane z przepływem prądów unoszenia i dyfuzji oraz powstawaniem pola wbudowanego w obszarach półprzewodnika o nierównomiernym domieszkowaniu. Znaczną część zadań poświęcono na ilustrację zjawisk zachodzących w złączu p - n. Pokazano sposób obliczania wartości takich parametrów, jak: napięcie dyfuzyjne złącza, szerokość warstwy zubożonej, prąd nasycenia złącza. Przedstawiono również zadania pozwalające na analizę charakterystyki prądowo - napięciowej złącza na podstawie równania Schockleya. Osobna grupa zadań ilustruje zagadnienia związane z zasadami działania tranzystorów bipolarnych. W książce przytoczono również przykłady obliczeń wielkości charakteryzujących struktury MOS oraz tranzystory MOS.

Słowa kluczowe:
■ półprzewodniki
■ przyrządy półprzewodnikowe
■ elementy elektroniczne

Spis treści

1. Wstęp.....................................................................................................................................5
2. Koncentracja nośników w półprzewodniku samoistnym i domieszkowym.
Wpływ domieszkowania na położenie poziomu Fermiego...............................................7
2.1. Koncentracja nośników samoistnych..............................................................................7
2.2. Koncentracja nośników w półprzewodnikach domieszkowanych..................................8
2.3. Położenie poziomu Fermiego w półprzewodniku samoistnym i domieszkowanym ....10
3. Transport nośników pod wpływem pola elektrycznego.
Konduktywność półprzewodnika.....................................................................................36
3.1. Ruchliwość nośników ładunku......................................................................................36
3.2. Konduktancja półprzewodnika......................................................................................38
4. Transport nośników w półprzewodniku pod wpływem gradientu koncentracji. Prawo Gaussa i równanie Poissona..................................................................................60
4.1. Transport nośników w półprzewodniku pod wpływem gradientu koncentracji...........60
4.2. Półprzewodnik w zewnętrznym polu elektrycznym.....................................................61
5. Zjawiska generacji - rekombinacji w półprzewodnikach.
Quasi - poziomy Fermiego.................................................................................................76
5.1. Absorpcja promieniowania elektromagnetycznego. Wewnętrzny efekt fotoelektryczny.............................................................................................................76
5.2. Generacja - rekombinacja w półprzewodniku...............................................................78
5.3. Dyfuzja nadmiarowych nośników w półprzewodniku..................................................79
5.4. Quasi - poziomy Fermiego............................................................................................79
6. Własności złącza p - n. Dioda półprzewodnikowa..........................................................90
7. Tranzystor bipolarny.......................................................................................................130
7.1. Model tranzystora bipolarnego....................................................................................130
7.2. Praca tranzystora przy małych sygnałach prądu zmiennego. Model "hybryd n" tranzystora dla układu WE..........................................................................................137
8. Tranzystory polowe. Tranzystory polowe ze złączem p - n. Tranzystory MOS........175
8.1. Tranzystory polowe ze złączem p - n (P - N FET, JFET)...........................................175
8.2. Tranzystory polowe typu MIS.....................................................................................182
8.2.1. Tranzystory D - MOSFET (D - Depletion).......................................................187
8.2.2. Tranzystory E - MOSFET (E - Enhancement).................................................188
Literatura..............................................................................................................................220
Dodatek A - Wybrane (legalne) jednostki miar.................................................................221
Dodatek B - Stałe fizyczne....................................................................................................229
Dodatek C - Własności półprzewodników i dielektryków................................................233
Dodatek D - Ruchliwość dziur i elektronów. Konduktywność (rezystywność)
półprzewodnika.............................................................................................241
Dodatek E - Poziomy domieszkowe pierwiastków w germanie, krzemie
i arsenku galu.................................................................................................245
Dodatek F - Nomogram do obliczeń parametrów niesymetrycznych skokowych
złączy krzemowych........................................................................................249