WYSYŁKA DZISIAJ !!!

CODZIENNIE W DNI ROBOCZE

WYSTARCZY DO GODZ. 13.00 wysłać do nas:

1) deklarację odbioru przesyłki "za pobraniem"
lub
2) skan przelewu
albo
3) ostatecznie - wpłacić za pośrednictwem "PayU"



PODSTAWOWE PRZYRZĄDY

PÓŁPRZEWODNIKOWE

Jan Koprowski


Stan książki: NOWA
Wydawnictwo: AGH Kraków
Stron: 320
Okładka: miękka
Format: B5

Wstęp.. 7

1. WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW.. 9
1.1. Struktura i właściwości elementarnych półprzewodników.. 9
1.2. Półprzewodniki domieszkowane. 19
1.3. Termodynamika systemów elektronów i dziur w półprzewodnikach 23
1.4. Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej. 25
1.5. Przewodnictwo półprzewodników. 30
1.6. Mechanizmy transportu nośników. 34
1.7. Wbudowane pole elektryczne.. 37
1.8. Podstawowe równania półprzewodników. 38
1.9. Szumy w półprzewodnikach. 42
Literatura 45

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE 47
2.1. Prąd termoemisyjny 47
2.2. Kontakt metal-półprzewodnik (m-s). 48
2.3. Złącze p+-n.. 54
2.4. Heterozłacza.. 63
2.5. Kondensator MOS.. 65
Literatura 75

3. DIODY 77
3.1. Model diody złączowej p+-n. 77
3.2. Równanie rzeczywistej diody złączowej p+-n. 79
3.3. Parametry diody prostowniczej 82
3.4. Pojemności złącza p+-n - diody pojemnościowe.. 83
3.5. Modele małosy gnało we diody. 89
3.6. Efekty dynamiczne przełączania diody p+-n 93
3.7. Diody stabilizacyjne.. 98
3.8. Diody tunelowe. 101
3.9. Parametry termiczne diody. 104
3.10. Szumy w diodach 108
3.11. Modele komputerowe diody 109
3.12. Diody Schottky'ego.. 114
Literatura 119

4. TRANZYSTORY BIPOLARNE.. 121
4.1. Budowa i działanie tranzystorów bipolarnych 121
4.1.1. Struktury złączowe i prądy w tranzystorach.. 121
4.1.2. Konfiguracje i stany pracy tranzystora. 125
4.2. Charakterystyki napięciowo-prądowe 127
4.2.1. Model Ebersa-Molla.. 127
4.2.2. Charakterystyki tranzystora w konfiguracji OE.. 131
4.2.3. Model transportowy tranzystora.. 133
4.3. Parametry i modele małosy gnało we tranzystorów bipolarnych 135
4.3.1. Definicje podstawowe 135
4.3.2. Określenie punktu pracy tranzystora. 135
4.3.3. Tranzystor jako czwórnik aktywny. 136
4.3.4. Model typu hybryd-7t dla konfiguracji OE. 140
4.3.5. Model typu hybryd-7C dla konfiguracji OB. 143
4.3.6. Hybrydowe parametry typu h tranzystora 145
4.3.7. Częstotliwości graniczne tranzystora. 147
4.3.8. Użytkowe parametry małosygnałowe tranzystora w układzie elektronicznym.. 151
4.4. Przełączanie tranzystora.. 152
4.4.1. Warunki pracy tranzystora jako przełącznika 152
4.4.2. Równanie kontrolne ładunku bazy.. 156
4.4.3. Tranzystor zintegrowany z diodą Schottky'ego.. 158
4.5. Narażenia napięciowe tranzystorów. 159
4.6. Szumy tranzystorów bipolarnych 161
4.7. Fizyczne i komputerowe modele tranzystorów bipolarnych.. 164
4.7.1. Założenia wstępne hirudina do modelu Gummela-Poona. 164
4.7.2. Prąd transportowy tranzystora 166
4.7.3. Model Gummela-Poona w SPICE (model SGP) 172
4.7.4. Efekty cieplne i model termiczny tranzystora bipolarnego.. 180
4.8. Bipolarne tranzystory mocy.. 186
Literatura 188

5. TRANZYSTORY POLOWE. 190
5.1. Zasada działania i podział tranzystorów polowych. 190
5.2. Złączowy tranzystor polowy JFET i jego modele. 193
5.2.1. Warunki pracy tranzystora n-JFET jako wzmacniacza 198
5.2.2. Parametry małosygnałowe tranzystora JFET 201
5.2.3. Ograniczenia częstotliwościowe i częstotliwość odcięcia. 203
5.3. Szumy w tranzystorach JFET. 204
5.4. Model komputerowy tranzystora JFET w SPICE/PSpice.. 205
5.5. Tranzystor polowy z izolowaną bramką (MOSFET) i jego modele. 208
5.5.1. Wielkosygnałowy model zastępczy tranzystora MOSFET. 211
5.5.2. Małosygnałowy model tranzystora MOSFET 212
5.6. Małosygnałowy admitancyjny schemat zastępczy tranzystorów polowych. 217
5.7. Szumy w tranzystorach MOSFET.. 218
5.8. Modele komputerowe tranzystorów MOSFET 219
5.9. Tranzystory polowe MOSFET dużej mocy 224
5.10. Porównanie tranzystorów polowych MOSFET z tranzystorami bipolarnymi.. 230
Literatura 232

6. PRZYRZĄDY OPTOELEKTRONICZNE. 233
6.1. Absorpcja światła w półprzewodnikach - fotodetektory.. 233
6.1.1. Fotorezystory.. 239
6.1.2. Fotodiody.. 241
6.1.3. Fototranzystory.. 245
6.2. Przyrządy fotowoltaiczne 246
6.3. Diody elektroluminescencyjne. 251
6.4. Diody laserowe. 257
6.5. Parametry energetyczne i świetlne. 263
Literatura 267

7. TYRYSTORY I TRIAKI 268
7.1. Budowa i działanie tyrystora. 268
7.2. Triaki.. 276
7.3. Struktury tyrystorowe V-MOS i D-MOS.. 277
Literatura 281

8. PÓŁPRZEWODNIKOWE PRZYRZĄDY ŁADUNKOWE. 282
8.1. Kondensatory MOS w strukturze CCD.. 282
8.2. Efekty dynamiczne i transfer ładunku w CCD 284
8.3. Sensory optyczne CCD 288
Literatura 291

9. PRZYRZĄDY TERMOELEKTRYCZNE.. 292
9.1. Termoprądy w półprzewodnikach.. 292
9.1.1. Zjawisko Seebecka.. 294
9.1.2. Zjawisko Peltiera.. 297
9.1.3. Parametry termoelektryczne materiałów. 299
9.1.4. Efekt Thomsona. 302
9.2. Półprzewodnikowe przyrządy termoelektryczne. 304
9.2.1. Generator termoelektryczny 3Q6
9.2.2. Chłodziarki termoelektryczne 310
Literatura 313

10. SYMBOLE, INDEKSY I OZNACZENIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. 314